Mikroelektromechanické propoje na křemíkovém substrátu

Simple item page
but.committeedoc. Ing. Vilém Kledrowetz, Ph.D. (předseda) doc. Ing. Aleš Povalač, Ph.D. (místopředseda) Ing. Martin Šťáva, Ph.D. (člen) doc. Mgr. Zdenka Fohlerová, Ph.D. (člen) Ing. Jan Prášek, Ph.D. (člen) Ing. Jiří Libich, Ph.D. (člen)cs
but.defenceStudent seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením závěrečné vysokoškolské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta.cs
but.jazykslovenština (Slovak)
but.programMikroelektronika a technologiecs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorPrášek, Jansk
dc.contributor.authorDulák, Radovansk
dc.contributor.refereeHrdý, Radimsk
dc.date.created2023cs
dc.description.abstractSkrz kremíkové prepoje sú kľúčovou technológiou umožňujúcou 3D integráciu systémov, a teda vytváranie kompaktných zariadení. Tieto vertikálne mikroštruktúry prepájajú viac vrstiev medzi sebou, a sú tiež využívané v integrovaných obvodoch a MEMS zariadeniach. Bakalárska práca sa zameriava na možnosť prípravy mikroprepojov mokrým anizotropným leptaním a suchým anizotropným leptaním využitím procesu hĺbkového reaktívneho iónového leptania (DRIE) pre využitie v MEMS. V práci sú uvedené kroky prípravy, leptania, pokovovania a galvanického vypĺňania týchto štruktúr. Pomocou snímok z optického a rastrovacieho elektrónového mikroskopu (SEM), boli vyhotovené a vyhodnotené experimentálne testy a následná optimalizácia, pre vytvorenie dier s minimálnou veľkosťou približne 1 m využitím mokrého leptacieho procesu a 16 m suchým leptacím procesom. Najvyšší dosiahnutý pomer hĺbky k šírke na waferi bol 15:1. Okrem toho boli vytvorené diery pokovované a galvanicky vyplnené vodivým materiálom, ktoré sa elektricky otestovali a odmerali.sk
dc.description.abstractThrough-hole silicon vias are key technology enabling 3D system integration and thus creating compact devices. These vertical microstructures interconnect multiple layers and are also used in integrated circuits and MEMS devices. This bachelor‘s thesis focuses on the possibility of preparing these microjunctions by wet anisotropic etching and dry anisotropic etching using the deep reactive ion etching (DRIE) process for use in MEMS. The work shows preparation, etching, plating and galvanic filling of these structures. Using optical and scanning electron microscope (SEM) images, experimental tests and subsequent optimization were performed and evaluated to create a hole with a minimum size of approximately 1 m using a wet etching process and 16 m by a dry etching process. The highest achieved aspect ratio on a wafer was 15:1. In addition, the created holes were plated, galvanically filled with conductive material and electrically tested and measured.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationDULÁK, R. Mikroelektromechanické propoje na křemíkovém substrátu [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2023.cs
dc.identifier.other152258cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/210997
dc.language.isoskcs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectSkrz kremíkové mikroprepojesk
dc.subjectTSVsk
dc.subjectMEMSsk
dc.subjectmokré a suché anizotropné leptaniesk
dc.subjectroztok TMAHsk
dc.subjectRIEsk
dc.subjectDRIEsk
dc.subjectBosch processk
dc.subjectdeponovanie vodivých vrstievsk
dc.subjectgalvanické pokovovanie.sk
dc.subjectThrough-hole silicon viasen
dc.subjectTSVen
dc.subjectMEMSen
dc.subjectwet and dry anisotropic etchingen
dc.subjectTMAH solutionen
dc.subjectRIEen
dc.subjectDRIEen
dc.subjectBosch processen
dc.subjectdeposition of conductive layersen
dc.subjectgalvanic filling.en
dc.titleMikroelektromechanické propoje na křemíkovém substrátusk
dc.title.alternativeMicroelectromechanical through-silicon viasen
dc.typeTextcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
dcterms.dateAccepted2023-06-13cs
dcterms.modified2023-06-15-08:38:10cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid152258en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.17 16:29:04en
sync.item.modts2025.01.15 17:30:18en
thesis.disciplinebez specializacecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektronikycs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
6.47 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
file final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
review_152258.html
Size:
5.29 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_152258.html
Download
Collections
2023