Analýza a návrh blokovacích kondenzátorů v digitální standardní knihovně technologie CMOS 65 nm
| but.committee | doc. Ing. Lukáš Fujcik, Ph.D. (předseda) RNDr. Ladislav Mareček, CSc. (místopředseda) doc. Ing. Radovan Novotný, Ph.D. (člen) Ing. Vladimír Levek, Ph.D. (člen) Ing. Radim Hrdý, Ph.D. (člen) Ing. Jiří Libich, Ph.D. (člen) | cs |
| but.defence | Student seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením závěrečné vysokoškolské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Dále odpověděl na otázky komise: Vytvářeli jste layouty a bili vyrobené i nějaké vzorky? Uvažoval jste vliv teploty? Má v sobě knihovna nějaké hotové buňky? Jaká je motivace zadavatelské firmy pro vytvoření dalších buněk? Student bez problémů odpověděl na dotazy. | cs |
| but.jazyk | angličtina (English) | |
| but.program | Mikroelektronika a technologie | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Král, Vojtěch | en |
| dc.contributor.author | Kučera, Radek | en |
| dc.contributor.referee | Bartoš, Pavel | en |
| dc.date.created | 2024 | cs |
| dc.description.abstract | Tato práce se zabývá návrhem blokovacích kondenzátorů ve formě CMOS tranzistorů pro stabilizaci napájecího napětí v digitální standardní knihovně se zaměřením na 65 nm technologii. Úvod poskytuje přehled CMOS technologie a popis MOS struktur. Analýza porovnává čtyři topologie blokovacích kondenzátorů (NMOS, PMOS, CMOS, Cross-Coupled) a identifikuje Cross-Coupled jako nejlepší volbu. Poslední část se zaměřuje na návrh a optimalizaci layoutu blokovacích kondenzátorů. Byly vytvořeny čtyři různé layouty, optimalizované pro kapacitu, činitel jakosti, svodový proud a kompromis mezi těmito faktory, aby mohly být integrovány do standardních digitálních knihoven podle specifických aplikací. | en |
| dc.description.abstract | This work deals with the design of decoupling capacitors in the form of CMOS transistors for stabilizing the supply voltage in a digital standard library, focusing on 65 nm technology. The introduction provides an overview of CMOS technology and a description of MOS structures. The analysis compares four topologies of decoupling capacitors (NMOS, PMOS, CMOS, Cross-Coupled) and identifies Cross-Coupled as the best choice. The last part focuses on the design and optimization of the layout of decoupling capacitors. Four different layouts were created, optimized for capacity, quality factor, leakage current, and a compromise between these factors, to be integrated into standard digital libraries according to specific applications. | cs |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | KUČERA, R. Analýza a návrh blokovacích kondenzátorů v digitální standardní knihovně technologie CMOS 65 nm [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2024. | cs |
| dc.identifier.other | 160212 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/246860 | |
| dc.language.iso | en | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | CMOS | en |
| dc.subject | MOSFET | en |
| dc.subject | blokovací kondenzátor | en |
| dc.subject | šum | en |
| dc.subject | úbytky napětí | en |
| dc.subject | integrovaný obvod | en |
| dc.subject | digitálně standardní buňky | en |
| dc.subject | 65 nm technologie | en |
| dc.subject | CMOS | cs |
| dc.subject | MOSFET | cs |
| dc.subject | decoupling capacitors | cs |
| dc.subject | leakage | cs |
| dc.subject | noise | cs |
| dc.subject | voltage drops | cs |
| dc.subject | integrated circuit | cs |
| dc.subject | digital standard cells | cs |
| dc.subject | 65 nm technology | cs |
| dc.title | Analýza a návrh blokovacích kondenzátorů v digitální standardní knihovně technologie CMOS 65 nm | en |
| dc.title.alternative | Analysis and design of decoupling capacitors in the 65 nm CMOS digital standard library | cs |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2024-06-11 | cs |
| dcterms.modified | 2024-06-13-08:56:39 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| sync.item.dbid | 160212 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.03.17 17:21:09 | en |
| sync.item.modts | 2025.01.17 10:23:08 | en |
| thesis.discipline | bez specializace | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektroniky | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |