KUČERA, R. Analýza a návrh blokovacích kondenzátorů v digitální standardní knihovně technologie CMOS 65 nm [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2024.
Student Radek Kučera se ve své bakalářské práci zaměřil na problematiku návrhu a analýzy blokovacích kondenzátorů na čipu. Cílem práce bylo zkoumat různé topologie blokovacích kondenzátorů, provést jejich simulaci a následně vybrat a doporučit nejvhodnější varianty pro integraci do digitální standardní knihovny. Z hlediska splnění požadavků zadání je práce velmi dobře provedena. Student se detailně seznámil s digitálními standardními knihovnami v technologii CMOS 65 nm. Zaměřil se na blokovací kondenzátory, vysvětlil jejich účel a princip, charakterizoval jejich vlastnosti a navrhl vlastní varianty. Provedl srovnání různých topologií v simulacích a vybral nejvhodnější kondenzátory pro detailnější analýzu, čímž splnil všechny body zadání. Prezentační úroveň technické zprávy je na vysoké úrovni. Práce je přehledně strukturovaná s jasně definovanými kapitolami a podkapitolami. Obrázky a tabulky jsou správně číslovány a odkazy na ně v textu jsou konzistentní. Rozsah práce odpovídá, ba dokonce i převyšuje požadavky na bakalářskou práci. Práce obsahuje dostatečné množství detailů pro pochopení problematiky a analýzu provedených simulací. Jazyková úroveň bakalářské práce je na velmi dobré úrovni. Struktura, formátování a správnost citací jsou dodrženy. V textu práce se velmi zřídka objeví technická nesrovnalost, gramatická nebo stylistická chyba. I když se v práci objevují velmi drobné gramatické chyby nebo nepřesnosti, nemají vliv na celkovou kvalitu práce. Zvláštní pozornost zaslouží fakt, že práce byla napsána v anglickém jazyce, což není u bakalářských prací obvyklé. Student prokázal velmi dobrou znalost angličtiny. Student využívá relevantní odbornou literaturu, kterou také správně cituje. Odborná úroveň práce je velmi vysoká. Student detailně analyzoval problematiku blokovacích kondenzátorů, provedl komplexní simulace a výsledky logicky interpretoval. Využitelnost výsledků je vysoká, neboť navržené layouty mohou být přímo implementovány v reálných digitálních standardních knihovnách v CMOS 65 nm technologii, ve které student pracoval. Student byl během řešení bakalářské práce velmi proaktivní, pravidelně docházel na konzultace a aktivně se podílel na řešení problémů spojených s prací. Jeho iniciativa a pravidelná komunikace přispěly k vysoké kvalitě bakalářské práce. Na základě výše uvedených poznatků hodnotím práci 96 body a navrhuji ji k obhajobě.
Na základě analýzy předložené bakalářské práce lze konstatovat, že student splnil požadavky zadání. Práce se zabývá analýzou a návrhem blokovacích kondenzátorů v technologii CMOS 65 nm, což odpovídá zadání. Student se seznámil s digitálními standardními knihovnami a zvláště se zaměřil na blokovací kondenzátory a jejich použití na čipu. V práci jsou vysvětleny účel a princip blokovacích kondenzátorů a charakterizovány jejich možné vlastnosti. Různé topologie blokovacích kondenzátorů jsou prozkoumány a navrženy, následně jsou porovnány v jednoduché simulaci. Na základě těchto porovnání byly vybrány blokovací kondenzátory pro hlubší analýzu, vytvořeny layouty a pomocí parazitní extrakce a detailní simulace byly zkoumány jejich chování a vlastnosti. Student prioritně sledoval kapacitu vzhledem k ploše buňky, rychlost odezvy a s tím spojenou maximální frekvenci a svodový proud, přičemž tyto parametry monitoroval v závislosti na teplotě, napětí a procesních variacích. Prezentační úroveň technické zprávy je obecně na velmi dobré úrovni, přesto se najdou drobné nedostatky. Např. kapitola o MOSFETEch (1.3) je zařazena až po kapitole o invertorech (1.2.1), což není logické. V práci je i několik drobných faktických nedostatků. Například ve větě „Gate is directly connected to a polysilicon“ (str. 20) by správně mělo být „Gate is made of polysilicon“. Celkový rozsah práce značně převyšuje standard pro bakalářské práce a to nejen textovým rozsahem, ale i praktickými přínosy práce. Formální úprava i jazyková úroveň práce je na velmi dobré úrovni. Objevuje se jen zanedbatelné množství překlepů, avšak objevují se chyby v dělení slov na konci řádků, zejména v českém rozšířeném abstraktu. Využití literatury a její citace jsou zpracovány adekvátně. Student použil odpovídající počet zdrojů k podpoře svých tvrzení. Nicméně, některé důležité informace, jako například dielektrická konstanta SiO2, nejsou citovány. Odborná úroveň práce je na vysoké úrovni. Student prokázal hluboké porozumění technologii CMOS a návrhu blokovacích kondenzátorů. Výsledky práce jsou prakticky využitelné pro návrh digitálních standardních knihoven. Student provedl detailní analýzu a porovnání různých topologií blokovacích kondenzátorů, což přináší hodnotné poznatky pro další výzkum a praxi. Celkově hodnotím práci na 98 bodů ze 100. Práce vykazuje vysokou odbornou úroveň a její výsledky jsou prakticky využitelné.
eVSKP id 160212