Technologie leptání křemíku

Simple item page
but.committeedoc. Ing. Petr Bača, Ph.D. (předseda) doc. Ing. Jiří Vaněk, Ph.D. (místopředseda) Ing. Miroslav Zatloukal (člen) doc. Ing. Jiří Maxa, Ph.D. (člen) doc. Ing. Marie Sedlaříková, CSc. (člen)cs
but.defenceDiplomant seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením své diplomové práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Otázky u obhajoby: Co by se stalo při použití izotropního leptání?cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorMatějka, Milancs
dc.contributor.authorKrátký, Stanislavcs
dc.contributor.refereeJežek,, Jancs
dc.date.created2012cs
dc.description.abstractTato práce se zabývá technologií mokrého a suchého leptání křemíku. Zkoumá se použití vodného roztoku hydroxidu draselného. V suchých technikách se práce zaměřuje na plazmatické leptání křemíku směsí CF4+O2. U obou leptacích procesů jsou stanoveny důležité parametry leptání, jako je rychlost leptání křemíku, maskovacího materiálu, selektivita leptání, drsnost povrchu a podleptání masky. Řeší se zde i další pomocné a přípravné práce v technologii leptání. Konkrétně jde o vytváření masky v rezistu a v oxidu křemíku, litografii a leptání rezistu za pomoci kyslíkové plazmy.cs
dc.description.abstractThis thesis deals with the silicon etching technology. It Examines using of water solution of potassium hydroxide. It focuses on plasma etching of silicon using mixture of CF4 and O2 as the dry way of etching. Important parameters of etching like etching rate of silicon and masking materials, etching selectivity, surface roughness and underetching of mask are determined for both ways. Some additional processes has been examined as well, namely creating of mask of resist and silicon dioxide, lithography process and etching of resist using oxygen plasma.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationKRÁTKÝ, S. Technologie leptání křemíku [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2012.cs
dc.identifier.other57591cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/13482
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectLeptadlo POLcs
dc.subjectmokré anizotropní leptánícs
dc.subjectmonokrystalický křemík (100)cs
dc.subjectplazma CF4cs
dc.subjectplazma O2cs
dc.subjectsuché plazmatické leptánícs
dc.subjectvodný roztok KOH.cs
dc.subjectBOEen
dc.subjectdry plasma etchingen
dc.subjectmonocrystalline silicon (100)en
dc.subjectplasma CF4en
dc.subjectplasma O2en
dc.subjectwater solution of KOHen
dc.subjectwet anisotropic etching.en
dc.titleTechnologie leptání křemíkucs
dc.title.alternativeThe silicon etching technologyen
dc.typeTextcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
dcterms.dateAccepted2012-06-06cs
dcterms.modified2012-06-07-17:53:36cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid57591en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.26 13:03:28en
sync.item.modts2025.01.15 12:27:43en
thesis.disciplineElektrotechnická výroba a managementcs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav elektrotechnologiecs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
1.7 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
appendix-1.pdf
Size:
1.74 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
appendix-1.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
review_57591.html
Size:
5.83 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_57591.html
Download
Collections
2012