Technologie leptání křemíku

Abstract

Tato práce se zabývá technologií mokrého a suchého leptání křemíku. Zkoumá se použití vodného roztoku hydroxidu draselného. V suchých technikách se práce zaměřuje na plazmatické leptání křemíku směsí CF4+O2. U obou leptacích procesů jsou stanoveny důležité parametry leptání, jako je rychlost leptání křemíku, maskovacího materiálu, selektivita leptání, drsnost povrchu a podleptání masky. Řeší se zde i další pomocné a přípravné práce v technologii leptání. Konkrétně jde o vytváření masky v rezistu a v oxidu křemíku, litografii a leptání rezistu za pomoci kyslíkové plazmy.This thesis deals with the silicon etching technology. It Examines using of water solution of potassium hydroxide. It focuses on plasma etching of silicon using mixture of CF4 and O2 as the dry way of etching. Important parameters of etching like etching rate of silicon and masking materials, etching selectivity, surface roughness and underetching of mask are determined for both ways. Some additional processes has been examined as well, namely creating of mask of resist and silicon dioxide, lithography process and etching of resist using oxygen plasma.