Lokalizace a analýza defektů v GaN

but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (místopředseda) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr. (člen) doc. Mgr. Adam Dubroka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. Ing. Jan Čechal, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Petráček, Dr. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. Ing. Miroslav Kolíbal, Ph.D. (člen) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)cs
but.defencePo otázkách oponenta bylo dále diskutováno: Rozlišovací schopnost elektronového mikroskopu. Korekce sférické vady a astigmatismu. Vliv displokací na funkci GaN zařízení. Student na otázky odpověděl.cs
but.jazykangličtina (English)
but.programFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorBábor, Petren
dc.contributor.authorGazdík, Richarden
dc.contributor.refereeŠik, Ondřejen
dc.date.created2024cs
dc.description.abstractTáto diplomová práca sa zaoberá lokalizáciou a analýzou vláknových dislokácií v epitaxných vrstvách GaN. Práca je rozdelená na dve časti - teoretickú a experimentálnu. V teoretickej časti je vysvetlený pôvod a povaha vláknových dislokácií. Okrem toho kladie základy pre lepšie pochopenie možno menej známych techník, ktoré sa dajú použiť na ich štúdium - zobrazovanie elektrónového kanálovacieho kontrastu a selektívne leptanie defektov. V experimentálnej časti sú popísané postupy vykonané pri realizácii týchto techník, ako aj pre TEM zobrazovanie difrakčného kontrastu a s ním spojenej prípravy vzoriek pomocou FIB. Ukazujeme, že každá z týchto techník sa môže použiť samostatne na charakterizáciu vláknových dislokácií, ale že ich kombináciou je možné získať doplňujúce informácie.en
dc.description.abstractThis master’s thesis is concerned with the localisation and analysis of threading dislocations in GaN epitaxial layers. The thesis is divided into two parts – theoretical and experimental. The theoretical part explains the origin and nature of threading dislocations. Additionally, it lays foundations for a better understanding of perhaps less known techniques, which can be used to study them – electron channeling contrast imaging and defect-selective etching. The experimental part describes the procedures done to carry these techniques, in addition to TEM diffraction-contrast imaging and its associated FIB sample preparation, out. We show that each of the techniques can be used independently to characterize threading dislocations, but that there is a possibility to gain complementary information by combining them.cs
dc.description.markBcs
dc.identifier.citationGAZDÍK, R. Lokalizace a analýza defektů v GaN [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2024.cs
dc.identifier.other158314cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/247324
dc.language.isoencs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectGaNen
dc.subjectECCIen
dc.subjectSEMen
dc.subjectTEMen
dc.subjectFIBen
dc.subjectselektívne leptanie defektoven
dc.subjectvláknová dislokáciaen
dc.subjectdifrakčný kontrasten
dc.subjectpodmienky neviditeľnostien
dc.subjectGaNcs
dc.subjectECCIcs
dc.subjectSEMcs
dc.subjectTEMcs
dc.subjectFIBcs
dc.subjectdefect-selective etchingcs
dc.subjectthreading dislocationcs
dc.subjectdiffraction contrastcs
dc.subjectinvisibility criteriacs
dc.titleLokalizace a analýza defektů v GaNen
dc.title.alternativeDefect localization and analysis in GaNcs
dc.typeTextcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
dcterms.dateAccepted2024-06-10cs
dcterms.modified2024-06-11-09:03:52cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid158314en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.27 10:45:40en
sync.item.modts2025.01.15 15:02:00en
thesis.disciplinebez specializacecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Loading...
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
3.73 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
file final-thesis.pdf
Loading...
Thumbnail Image
Name:
review_158314.html
Size:
9.86 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_158314.html
Collections