Lokalizace a analýza defektů v GaN

Abstract

Táto diplomová práca sa zaoberá lokalizáciou a analýzou vláknových dislokácií v epitaxných vrstvách GaN. Práca je rozdelená na dve časti - teoretickú a experimentálnu. V teoretickej časti je vysvetlený pôvod a povaha vláknových dislokácií. Okrem toho kladie základy pre lepšie pochopenie možno menej známych techník, ktoré sa dajú použiť na ich štúdium - zobrazovanie elektrónového kanálovacieho kontrastu a selektívne leptanie defektov. V experimentálnej časti sú popísané postupy vykonané pri realizácii týchto techník, ako aj pre TEM zobrazovanie difrakčného kontrastu a s ním spojenej prípravy vzoriek pomocou FIB. Ukazujeme, že každá z týchto techník sa môže použiť samostatne na charakterizáciu vláknových dislokácií, ale že ich kombináciou je možné získať doplňujúce informácie.This master’s thesis is concerned with the localisation and analysis of threading dislocations in GaN epitaxial layers. The thesis is divided into two parts – theoretical and experimental. The theoretical part explains the origin and nature of threading dislocations. Additionally, it lays foundations for a better understanding of perhaps less known techniques, which can be used to study them – electron channeling contrast imaging and defect-selective etching. The experimental part describes the procedures done to carry these techniques, in addition to TEM diffraction-contrast imaging and its associated FIB sample preparation, out. We show that each of the techniques can be used independently to characterize threading dislocations, but that there is a possibility to gain complementary information by combining them.