GAZDÍK, R. Lokalizace a analýza defektů v GaN [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2024.

Posudek vedoucího

Bábor, Petr

Richard Gazdík se zabýval lokalizací a analýzou defektů v nitridu galia. Lokalizace defektů byla prováděna pomocí metody ECCI, ale také nad rámec zadání pomocí leptání. Lokalizované defekty byly vyjmuty pomocí iontového svazku ve formě lamel a následně byly měřeny na transmisním elektronovém mikroskopu. Richard dobře zvládl lokalizaci defektů, samostatně se naučil na ústavu dříve nepoužívanou metodu ECCI. Absolvoval řadu školení nutných nejen pro metodu ECCI, ale také pro přípravu lamel. Analýza lamel byla dle zadání provedena ve spolupráci s operátorem CEITECu. Jeho pracovní postup, umožnil nejen lokalizaci defektů, ale i jejich klasifikaci. Pracoval samostatně. V předložené práci dostatečně rozebral teoretické i experimentální aspekty analýzy defektů. Jeho práce splnila zadání, nicméně je škoda, že se nepodařilo připravit větší množství lamel a nad rámec zadání korelovat leptání a měření ECCI s měřením TEM. Jeho práci hodnotím stupněm B.

Posudek oponenta

Šik, Ondřej

Diplomová práce Bc. Richarda Gazdíka se zabývá studiem s současní době populárního polovodičového materiálu GaN. Tato práce je zejména zaměřena na jeho klíčový parametr – defektivity. Za tímto účelem posouzení defektivity jsou v úvodu popsány strukturální defekty a metody metody jejich zobrazení. V praktické části jsou tyto metody nasazeny a následně analyzovány. Teoretická část je systematicky rozčleněna na tři základní části. Popis GaN a jeho nativních defektů, metody pro zobrazení defektů a popis použité instrumentace. Uspořádání je zvoleno velmi vhodně a kapitoly jsou srozumitelně číslovány. Z vizuální stránky a ze stránky čitelnosti práce nebyl zvolen nejvhodnější font a jednotkové řádkování snižuje její čitelnost. Stať je psána anglicky. Vyskytují se v ní česko-anglická spojení, ale jsou pochopitelná. V textu se občas vyskytla nelogická tvrzení, jako např. GaN nelze růst klasickými metodami jako Czochralského z důvodů jeho VYSOKÉ teplotní stability (je tomu naopak. GaN při vysokých teplotách nejen taje, ale také se rozkládá). Dále se v textu poměrně často vyskytovaly zkratky, které nebyly vysvětleny. V teoretické části postrádám vysvětlení Millerových indexů, se kterými se často pracovalo v praktické části. Praktická část práce splňuje podmínky jejího zadání. Diplomant popisuje nejen výsledné obrazové výstupy jednotlivých metod zobrazení defektů, ale také optimalizací technologických postupů a parametrů pro obdržení kvalitních výsledků. Neuškodilo by, kdyby práce také obsahovala snímky povrchů leptaných KOH při různých parametrech leptání (teplota, čas). Autor bez boje rezignoval na korelaci snímků povrchů metodami kanálování v SEM mikroskopu s daty obdržených s TEM analýzy, a to zejména ohledně jejich popisu z krystalografického hlediska. Úroveň práce by se velice zvýšila také tím, kdyby obsahovala srovnání vzorků z kvalitních vs. defektních šarží, popř. porovnání se vzorky, u nichž by byly defekty vyvolány např. mechanickým namáháním. Ačkoli je splněno zadání, práce působí spíše přehledově. Zejména postrádám detailnější srovnání výsledků obdržených různými metodami a snahu nalézt aspoň dílčí korelaci. Nicméně, oceňuji velmi kvalitní práci se současnou literaturou a systematičnost rozčlenění práce. Jako oponent doporučuji celkové hodnocení C. Otázky : 1. ) Co jsou to Millerovy indexy a jak se využívají? 2.) Je možná souvislost mezi volbou „work distance“ a parametrem „angular range Ecp“ ? Viz obrázky na str. 34+35. 3.) Jaké jsou to ideální podmínky / nastavení mikroskopu pro zobrazení zkoumané krystalické struktury v režimu elektronového kanálování?

eVSKP id 158314