Diagnostika polovodičových materiálů metodou EBIC

Loading...
Thumbnail Image

Date

Authors

Kuznetsov, Vitalii

Mark

B

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

ORCID

Abstract

Bakalářská práce se zabývá diagnostikou polovodičových materiálů metodou EBIC (měření proudu indukovaného svazkem) s využitím rastrovacího elektronového mikroskopu (SEM). Práce popisuje princip činnosti rastrovacího elektronového mikroskopu, vysvětluje interakci elektronů s pevnou látkou a metodu EBIC. V teoretické části je také objasněn princip elektrické vodivosti polovodičů. Pomocí metody EBIC lze zkoumat dobu života a difuzní délku minoritních nosičů v polovodičích, na což je právě zaměřena praktická část práce.
The bachelor's thesis deals with the diagnostics of semiconductor materials by the EBIC method (beam induced current measurement) using a scanning electron microscope (SEM). The thesis describes the principle of operation of the scanning electron microscope, explains the interaction of electrons with a solid substance and the EBIC method. The principle of electrical conductivity of semiconductors is also explained in the theoretical part. Using the EBIC method, the lifetime and diffusion length of minority carriers in semiconductors can be investigated, which is what the practical part of the work is focused on.

Description

Citation

KUZNETSOV, V. Diagnostika polovodičových materiálů metodou EBIC [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2024.

Document type

Document version

Date of access to the full text

Language of document

cs

Study field

bez specializace

Comittee

doc. Ing. Petr Bača, Ph.D. (předseda) doc. Ing. Petr Vyroubal, Ph.D. (místopředseda) Ing. Pavel Čudek, Ph.D. (člen) Ing. Ladislav Chladil, Ph.D. (člen) prof. Ing. Jan Leuchter, Ph.D. (člen)

Date of acceptance

2024-06-11

Defence

Student seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením závěrečné vysokoškolské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Otázky oponenta: Byla topologická struktura tranzistoru PNP a analyzované oblasti stejné jako v případě NPN tranzistoru? Jak vypadá struktura výkonových tranzistorů NPN a PNP? Na obrázku 8.4 je výstup EBIC v barevné škále a na obrázku 8.18 je pouze v odstínech šedé barvy. Proč? Je výstup na obrázku 8.19 také z metody EBIC? Šla by škála šedých odstínů upravit tak, aby byly rozeznatelné defekty solárních článků? Otázky komise: Fotografie EBIC je změřeného tranzistoru ? Co bylo cíle pozorování pomocí metody EBIC ? Popište přípravek pro experimentální část. Jaký má přípravek přechodový odpor ?

Result of defence

práce byla úspěšně obhájena

DOI

Collections

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By

Citace PRO