Počítačové modelování MOSFET tranzistoru
| but.committee | prof. Ing. Milan Sigmund, CSc. (předseda) Ing. Jan Prokopec, Ph.D. (místopředseda) doc. Ing. Zdeněk Nováček, CSc. (člen) Ing. Zbyněk Fedra, Ph.D. (člen) doc. Dr. Ing. Josef Punčochář (člen) Prof. Ing. Miloš Mazánek, CSc. (člen) | cs |
| but.defence | Student prezentuje výsledky a postupy řešení své diplomové práce. Následně odpovídá na dotazy vedoucího a oponenta práce a na dotazy členů zkušební komise. | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Pokorný, Michal | cs |
| dc.contributor.author | Major, Jan | cs |
| dc.contributor.referee | Harwot, Ondřej | cs |
| dc.date.created | 2011 | cs |
| dc.description.abstract | Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů. | cs |
| dc.description.abstract | Work is focused on computer modeling of PN junction and MOSFET transistor in the program COMSOL Multiphysics and in program TiberCAD. The text is discussed on the drift and diffusion in semiconductors. Also shown is a method of modeling the PN junction and MOSFET transistor in the programs and compare models. | en |
| dc.description.mark | C | cs |
| dc.identifier.citation | MAJOR, J. Počítačové modelování MOSFET tranzistoru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2011. | cs |
| dc.identifier.other | 39342 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/7296 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | MOSFET | cs |
| dc.subject | tranzistor | cs |
| dc.subject | COMSOL Multiphysics | cs |
| dc.subject | modelování | cs |
| dc.subject | simulace | cs |
| dc.subject | analýza | cs |
| dc.subject | polovodič | cs |
| dc.subject | drift | cs |
| dc.subject | difůze | cs |
| dc.subject | PN přechod | cs |
| dc.subject | TiberCAD | cs |
| dc.subject | MOSFET | en |
| dc.subject | transistor | en |
| dc.subject | COMSOL Multiphysics | en |
| dc.subject | modeling | en |
| dc.subject | simulation | en |
| dc.subject | analysis | en |
| dc.subject | semiconductor | en |
| dc.subject | drift | en |
| dc.subject | diffusion | en |
| dc.subject | PN junction | en |
| dc.subject | TiberCAD | en |
| dc.title | Počítačové modelování MOSFET tranzistoru | cs |
| dc.title.alternative | Computer modeling of MOSFET transistor | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | masterThesis | en |
| dc.type.evskp | diplomová práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2011-06-08 | cs |
| dcterms.modified | 2024-05-17-12:53:24 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| sync.item.dbid | 39342 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.03.26 11:29:02 | en |
| sync.item.modts | 2025.01.15 14:16:58 | en |
| thesis.discipline | Elektronika a sdělovací technika | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav radioelektroniky | cs |
| thesis.level | Inženýrský | cs |
| thesis.name | Ing. | cs |