MAJOR, J. Počítačové modelování MOSFET tranzistoru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2011.
Student se ve své práci zabýval modelováním transportních procesů v polovodičích. V programu COMSOL Multiphysics implementoval transportní model driftu a difuze, který použil k analýze PN diody a MOSFET tranzistoru. Získané charakteristiky porovnal s výsledky specializovaného programu TiberCAD. V případě PN diody je shoda výsledků výborná, avšak charakteristiky MOSFET tranzistoru se v jednotlivých programech nezanedbatelně liší z důvodu nutného použití stabilizačních technik zaručující konvergenci řešiče programu COMSOL Multiphysics. Z formálního hlediska práce obsahuje velké množství překlepů a stylistických chyb. Grafická úprava je podprůměrná. Student se práci věnoval systematicky a hojně využíval konzultací.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění zadání | A | 45/50 | |
| Aktivita během řešení a zpracování práce (práce s literaturou, využívání konzultací, atd.) | C | 15/20 | |
| Formální zpracování práce | F | 8/20 | |
| Využití literatury | A | 10/10 |
Úkolem práce Jana Majora bylo vytvořit v simulačním programu COMSOL model PN přechodu a transistoru MOSFET. Výsledky simulace v programu COMSOL byly poté porovnány s výsledky výpočtů v programu TiberCAD. Zadání práce bylo splněno bezezbytku. Z formálního hlediska obsahuje práce relativně dost překlepů (např. diferenciální Maxwellové rovnice str. 8), vynechaných nebo naopak přebývajících slov ve větě (např. Pro další vysvětlení principu činnosti MOSFET tranzistoru je zaměřeno na tranzistor s vodivým a s indukovaným kanálem typu N. str. 2) a stylisticky nevhodných formulací (např. Model PN přechodu je modelovaný str. 14). Odborná úroveň práce odpovídá požadavkům kladeným na diplomovou práci. Diplomant prokázal schopnost nastudovat si potřebou teorii ohledně fyzikálních jevů v polovodičích a tuto teorii poté dokázal úspěšně aplikovat při simulaci PN přechodu a jednoduchého MOSFET transistoru. Je však trochu škoda, že není větší pozornost věnována iteraci jednotlivých parametrů a nastavení pro dosažení rozumných výsledků simulačního modelu. Také by mohly být diskutován vznik různých nedokonalostí modelu (např. vznik záporného proudu). Otázky k obhajobě: 1.) Jak dlouho trvá simulace v jednotlivých programech a které parametry rychlost ovlivňují? 2.) V čem spatřujete nestabilitu modelu se závislou mobilitou nosičů v programu COMSOL?
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Odborná úroveň práce | B | 40/50 | |
| Splnění požadavků zadání | A | 20/20 | |
| Interpretace výsledků a jejich diskuse | C | 15/20 | |
| Formální zpracování práce | E | 5/10 |
eVSKP id 39342