Počítačové modelování MOSFET tranzistoru

Loading...
Thumbnail Image

Date

Authors

Major, Jan

Mark

C

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

ORCID

Abstract

Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů.
Work is focused on computer modeling of PN junction and MOSFET transistor in the program COMSOL Multiphysics and in program TiberCAD. The text is discussed on the drift and diffusion in semiconductors. Also shown is a method of modeling the PN junction and MOSFET transistor in the programs and compare models.

Description

Citation

MAJOR, J. Počítačové modelování MOSFET tranzistoru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2011.

Document type

Document version

Date of access to the full text

Language of document

cs

Study field

Elektronika a sdělovací technika

Comittee

prof. Ing. Milan Sigmund, CSc. (předseda) Ing. Jan Prokopec, Ph.D. (místopředseda) doc. Ing. Zdeněk Nováček, CSc. (člen) Ing. Zbyněk Fedra, Ph.D. (člen) doc. Dr. Ing. Josef Punčochář (člen) Prof. Ing. Miloš Mazánek, CSc. (člen)

Date of acceptance

2011-06-08

Defence

Student prezentuje výsledky a postupy řešení své diplomové práce. Následně odpovídá na dotazy vedoucího a oponenta práce a na dotazy členů zkušební komise.

Result of defence

práce byla úspěšně obhájena

DOI

Collections

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By

Citace PRO