Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) doc. RNDr. Josef Kuběna, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Mach, Jindřich | cs |
| dc.contributor.author | Šamořil, Tomáš | cs |
| dc.contributor.referee | Lencová, Bohumila | cs |
| dc.date.created | 2009 | cs |
| dc.description.abstract | Úkolem diplomové práce bylo provedení optimalizace iontově-atomárního zdroje, která povede ke zlepšení vlastností iontově-atomárního svazku. Zlepšení parametrů svazku zvyšuje účinnost iontově-atomárního zdroje při depozicích ultratenkých gallium nitridových vrstev (GaN), jež jsou důležité pro výzkum v oblasti mikroelektroniky a optoelektroniky. Po uskutečnění optimalizace byly při nižších teplotách substrátu ( | cs |
| dc.description.abstract | The objective of this master thesis was to provide the optimization of an ion-atom beam source for the improvement of its properties. The improvement of the parameters increases the efficiency of the source during the deposition of gallium nitride ultrathin films (GaN) being important in microeletronics and optoelectronics. After optimization, the depositions of GaN ultrathin films on Si(111) 7x7 at lower temperatures ( | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | ŠAMOŘIL, T. Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2009. | cs |
| dc.identifier.other | 20761 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/10760 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | Iontový zdroj | cs |
| dc.subject | atomární zdroj | cs |
| dc.subject | iontově-atomární zdroj svazků | cs |
| dc.subject | iontově-atomární svazek | cs |
| dc.subject | gallium nitrid | cs |
| dc.subject | GaN | cs |
| dc.subject | XPS | cs |
| dc.subject | AFM | cs |
| dc.subject | Ion source | en |
| dc.subject | atom source | en |
| dc.subject | ion-atom beam source | en |
| dc.subject | ion-atom beam | en |
| dc.subject | gallium nitride | en |
| dc.subject | GaN | en |
| dc.subject | XPS | en |
| dc.subject | AFM | en |
| dc.title | Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů | cs |
| dc.title.alternative | Development of Atomic- and Ion Beam Sources | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | masterThesis | en |
| dc.type.evskp | diplomová práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2009-06-17 | cs |
| dcterms.modified | 2009-06-18-08:06:05 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 20761 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.03.26 23:00:16 | en |
| sync.item.modts | 2025.01.15 21:56:10 | en |
| thesis.discipline | Fyzikální inženýrství | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Inženýrský | cs |
| thesis.name | Ing. | cs |