Návrh Rail-to-Rail proudového konvejoru v technologii CMOS

Loading...
Thumbnail Image

Date

Authors

Hudzik, Martin

Mark

A

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

ORCID

Abstract

Diplomová práca sa zaoberá návrhom rail-to-rail prúdového konvejora druhej generácie v technológii CMOS. Opisuje princípy funkcie jednotlivých generácii prúdových konvejorov a taktiež základný princíp návrhu prúdového konvejora druhej generácie založeného na operačnom zosilňovači. Venuje sa obvodovému riešeniu vstupného rail-to-rail stupňa a koncového stupňa v triede AB. Cieľom tejto práce je navrhnúť, charakterizovať vlastnosti a vytvoriť topológiu prúdového konvejora druhej generácie s rail-to-rail vstupným súhlasným napäťovým rozsahom v technológii ONSemi I3T25.
Master’s thesis deals with design of rail-to-rail second generation current conveyor in CMOS technology. Describes principles of function of different generations of current conveyors, as well as the basic principle of design of second generation current conveyor based on operational amplifier. Addresses circuit topology of input rail-to-rail stage and class AB output stage. The objective of this thesis is to design, characterize performance and create layout of second generation current conveyor with input common mode voltage rail-to-rail capability in ONSemi I3T25 technology.

Description

Citation

HUDZIK, M. Návrh Rail-to-Rail proudového konvejoru v technologii CMOS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.

Document type

Document version

Date of access to the full text

Language of document

cs

Study field

Mikroelektronika

Comittee

doc. Ing. Jiří Háze, Ph.D. (předseda) doc. Ing. Jan Maschke, CSc. (místopředseda) doc. Ing. Radek Kuchta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Jaroslav Kadlec, Ph.D. (člen) Ing. Marek Bohrn, Ph.D. (člen)

Date of acceptance

2016-06-07

Defence

Student seznámil komisi s řešením své diplomové práce. otázka oponenta: V kapitole 3.3 – regulace transkonduktance vstupního bloku máte výsledky pro obvody, kde se u tranzistorů neprojeví bulk efekt. Ve vlastním návrhu (obr. 6.5) však k bulk efektu dochází. Jak se změní charakteristiky z kapitoly 3.3 pro obvod s bulk efektem? Má bulk efekt vliv například na minimální napájecí napětí nebo napěťovou nesymetrii diferenčního páru?

Result of defence

práce byla úspěšně obhájena

DOI

Collections

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By

Citace PRO