Preparation of (001) preferentially oriented titanium thin films by ion-beam sputtering deposition on thermal silicon dioxide

Simple item page
dc.contributor.authorGablech, Imrichcs
dc.contributor.authorSvatoš, Vojtěchcs
dc.contributor.authorCaha, Ondřejcs
dc.contributor.authorHrabovský, Milošcs
dc.contributor.authorPrášek, Jancs
dc.contributor.authorHubálek, Jaromírcs
dc.contributor.authorŠikola, Tomášcs
dc.coverage.issue7cs
dc.coverage.volume51cs
dc.date.accessioned2021-12-09T11:54:15Z
dc.date.available2021-12-09T11:54:15Z
dc.date.issued2016-04-01cs
dc.description.abstractWe propose the ion-beam sputtering deposition providing Ti thin films of desired crystallographic orientation and smooth surface morphology not obtainable with conventional deposition techniques such as magnetron sputtering and vacuum evaporation. The sputtering was provided by argon broad ion beams generated by a Kaufman ion-beam source. In order to achieve the optimal properties of thin film, we investigated the Ti thin films deposited on an amorphous thermal silicon dioxide using X-ray diffraction, and atomic force microscopy. We have optimized deposition conditions for growing of thin films with the only (001) preferential orientation of film crystallites, and achieved ultra-low surface roughness of 0.55 nm. The deposited films have been found to be stable upon annealing up to 300 °C which is often essential for envisaging subsequent deposition of piezoelectric AlN thin films.en
dc.description.abstractPráce se zabývá iontovým naprašováním titanových tenkých vrstev a studiem jejich krystalografie a drsnosti. Tyto parametry obvykle nejsou proveditelné konvenčními metodami magnetronového naprašování nebo vakuového napařování. Naprašování bylo realizováno pomocí Kaufmanova iontové zdroje. Nadeponované tenké vrstvy byly analyzovány pomocí XRD a AFM. Optimalizováním depozičních parametrů bylo dosaženo (001) preferenčně orientovaných krystalitů a velmi nízké drsnosti 0,55 nm. Teplotní stabilita titanových tenkých vrstev byla ověřena do 300 °C pro případné depozice nitridu hliníku, který pro dosažení požadovaných vlastností vyžaduje zahřívání substrátu při depozici.cs
dc.formattextcs
dc.format.extent3329-3336cs
dc.format.mimetypeapplication/pdfcs
dc.identifier.citationJournal of Materials Science. 2016, vol. 51, issue 7, p. 3329-3336.en
dc.identifier.doi10.1007/s10853-015-9648-ycs
dc.identifier.issn0022-2461cs
dc.identifier.other118989cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/203130
dc.language.isoencs
dc.publisherSpringer UScs
dc.relation.ispartofJournal of Materials Sciencecs
dc.relation.urihttp://link.springer.com/article/10.1007/s10853-015-9648-ycs
dc.rightsCreative Commons Attribution 4.0 Internationalcs
dc.rights.accessopenAccesscs
dc.rights.sherpahttp://www.sherpa.ac.uk/romeo/issn/0022-2461/cs
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/cs
dc.subjectIon-beam sputtering depositionen
dc.subjectKaufman ion-beam sourceen
dc.subjecttitaniumen
dc.subjectthin filmen
dc.subject(001) preferential orientationen
dc.subjectsurface roughnessen
dc.subjectXRDen
dc.subjectAFMen
dc.subjectIontové naprašování
dc.subjectKaufmanů iontový zdroj
dc.subjecttitan
dc.subjecttenká vrstva
dc.subject(001) preferenční orientace
dc.subjectdrsnost povrchu
dc.subjectXRD
dc.subjectAFM
dc.titlePreparation of (001) preferentially oriented titanium thin films by ion-beam sputtering deposition on thermal silicon dioxideen
dc.title.alternativePříprava (001) preferenčně orientovaných titanových tenkých vrstev metodou iontového naprašování na termální oxid křemičitýcs
dc.type.driverarticleen
dc.type.statusPeer-revieweden
dc.type.versionpublishedVersionen
sync.item.dbidVAV-118989en
sync.item.dbtypeVAVen
sync.item.insts2021.12.09 12:54:15en
sync.item.modts2021.12.09 12:14:21en
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektronikycs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Středoevropský technologický institut VUT. Chytré nanonástrojecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Středoevropský technologický institut VUT. Příprava a charakterizace nanostrukturcs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
Gablech_2016.pdf
Size:
1.93 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Gablech_2016.pdf
Download
Collections
Ústav mikroelektroniky
Chytré nanonástroje
Příprava a charakterizace nanostruktur
Ústav fyzikálního inženýrství