Povrchová morfologie a-CSi:H vrstev připravených z tetravinylsilanu v nízkoteplotním plazmatu

Abstract

Tato bakalářská práce se zabývá povrchovou morfologií a-CSi:H vrstev. Tyto vrstvy byly připraveny plazmochemickou depozicí z plynné fáze (PECVD) v pulzním režimu na křemíkových substrátech; jako prekurzor byl použit tetravinylsilan (TVS). Pro charakterizaci povrchu vrstev byla použita série vzorků připravených při různém efektivním výkonu (2-150 W) a tloušťce 0,6 µm. Povrchová morfologie byla měřena pomocí mikroskopie atomárních sil. Získaná data byla použita pro stanovení drsnosti povrchu a posouzení vlivu dynamiky růstu vrstvy na topografii povrchu.This bachelor thesis is focused on the surface morphology of a-CSi:H films. Films were prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) on silicon wafers using plasma discharge. Tetravinylsilane (TVS) precursor was used for deposition. The set of samples deposited at different effective power (2-150 W) and a thickness of about 0.6 µm was characterized to investigate their surface properties. Atomic force microscopy was used for characterization of surface morphology. Obtained results were used for evaluation of surface roughness and assessment of the effect of the film growth dynamics on the surface topography.