Omezení defektů v Si substrátech metodou rychlých tepelných procesů
| but.committee | prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. (předseda) RNDr. Ladislav Mareček, CSc. (místopředseda) Ing. Roman Prokop, Ph.D. (člen) Ing. Martin Adámek, Ph.D. (člen) doc. Ing. Jiří Vaněk, Ph.D. (člen) | cs |
| but.defence | Student seznámil komisi s obsahem diplomové práce a odpověděl na její otázky | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Szendiuch, Ivan | cs |
| dc.contributor.author | Frantík, Ondřej | cs |
| dc.contributor.referee | Hégr, Ondřej | cs |
| dc.date.accessioned | 2019-05-17T02:21:15Z | |
| dc.date.available | 2019-05-17T02:21:15Z | |
| dc.date.created | 2010 | cs |
| dc.description.abstract | Nízká cena, rychlé dosažení vysokých teplot IR ohřevem, rychlé chlazení a vysoká efektivita, to jsou vlastnosti RTP (rychlé tepelné procesy). RTP se využívá pro žíhání, difúzi, kontaktování, oxidaci a další. Rychlá změna teploty a IR ohřev může být následován pozitivními efekty v křemíkových substrátech. Tato práce je zaměřena na žíhání pomocí RTP. Byl použit p-typový monokrystalický CZ křemík s rozdílnou objemovou dobou života minoritních nosičů. Doba života minoritních nosičů byla měřena MW-PCD (mikrovlnná fotovodivá detekce) před a po procesu ohřevu. | cs |
| dc.description.abstract | Low cost, rapid and high thermal by IR heating, rapid cooling and high efficiency, there are RTP (Rapid Thermal Processing) properties. We can use RTP for annealing, diffusion, contacting, oxidation and others. Rapid temperature change and IR heating can be followed positive effects in the silicon substrate. This paper is focused on annealing by RTP. Wafers were p-type monocrystalline CZ silicon with different bulk minority carrier lifetime. Minority carrier lifetime was measured by MW-PCD (Microwave Photoconductance Decay) before and after thermal processing. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | FRANTÍK, O. Omezení defektů v Si substrátech metodou rychlých tepelných procesů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2010. | cs |
| dc.identifier.other | 31735 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/17123 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | Rychlé tepelné procesy | cs |
| dc.subject | rychlé tepelné žíhání | cs |
| dc.subject | doba života minoritních nosičů | cs |
| dc.subject | křemík | cs |
| dc.subject | křemíkové substráty. | cs |
| dc.subject | Rapid Thermal Process | en |
| dc.subject | Rapid Thermal Annealing | en |
| dc.subject | Minority carrier lifetime | en |
| dc.subject | Silicon | en |
| dc.subject | Si substrate. | en |
| dc.title | Omezení defektů v Si substrátech metodou rychlých tepelných procesů | cs |
| dc.title.alternative | Elimination of defects in Si substrates by Rapid Thermal Process application | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | masterThesis | en |
| dc.type.evskp | diplomová práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2010-06-08 | cs |
| dcterms.modified | 2010-07-13-11:45:28 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| sync.item.dbid | 31735 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2021.11.12 12:09:13 | en |
| sync.item.modts | 2021.11.12 10:55:51 | en |
| thesis.discipline | Mikroelektronika | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektroniky | cs |
| thesis.level | Inženýrský | cs |
| thesis.name | Ing. | cs |