Omezení defektů v Si substrátech metodou rychlých tepelných procesů
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Nízká cena, rychlé dosažení vysokých teplot IR ohřevem, rychlé chlazení a vysoká efektivita, to jsou vlastnosti RTP (rychlé tepelné procesy). RTP se využívá pro žíhání, difúzi, kontaktování, oxidaci a další. Rychlá změna teploty a IR ohřev může být následován pozitivními efekty v křemíkových substrátech. Tato práce je zaměřena na žíhání pomocí RTP. Byl použit p-typový monokrystalický CZ křemík s rozdílnou objemovou dobou života minoritních nosičů. Doba života minoritních nosičů byla měřena MW-PCD (mikrovlnná fotovodivá detekce) před a po procesu ohřevu.
Low cost, rapid and high thermal by IR heating, rapid cooling and high efficiency, there are RTP (Rapid Thermal Processing) properties. We can use RTP for annealing, diffusion, contacting, oxidation and others. Rapid temperature change and IR heating can be followed positive effects in the silicon substrate. This paper is focused on annealing by RTP. Wafers were p-type monocrystalline CZ silicon with different bulk minority carrier lifetime. Minority carrier lifetime was measured by MW-PCD (Microwave Photoconductance Decay) before and after thermal processing.
Low cost, rapid and high thermal by IR heating, rapid cooling and high efficiency, there are RTP (Rapid Thermal Processing) properties. We can use RTP for annealing, diffusion, contacting, oxidation and others. Rapid temperature change and IR heating can be followed positive effects in the silicon substrate. This paper is focused on annealing by RTP. Wafers were p-type monocrystalline CZ silicon with different bulk minority carrier lifetime. Minority carrier lifetime was measured by MW-PCD (Microwave Photoconductance Decay) before and after thermal processing.
Description
Citation
FRANTÍK, O. Omezení defektů v Si substrátech metodou rychlých tepelných procesů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2010.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika
Comittee
prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. (předseda)
RNDr. Ladislav Mareček, CSc. (místopředseda)
Ing. Roman Prokop, Ph.D. (člen)
Ing. Martin Adámek, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Jiří Vaněk, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2010-06-08
Defence
Student seznámil komisi s obsahem diplomové práce a odpověděl na její otázky
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení