Povrchová topografie a-CSi:H vrstev připravených v kontinuálním režimu PECVD

Abstract

Diplomová práce se věnuje povrchové topografii a-CSi:H vrstev připravených v kontinuálním režimu plazmochemické depozice z plynné fáze (PECVD) na bázi monomeru tetravinylsilanu (TVS). Tenké vrstvy nacházejí široké využití v oblasti moderních technologií a jejich fyzikální a mechanické vlastnosti jsou ovlivněny metodou přípravy. V této diplomové práci byly tenké filmy deponovány na povrch křemíkového substrátu metodou plazmochemické depozice z plynné fáze s čistým prekurzorem TVS. Připravené vzorky byly topograficky charakterizovány pomocí mikroskopie atomární síly (AFM) a analyzována byla RMS drsnost, autokorelační délka a distribuce velikosti zrn na povrchu tenkých filmů. K charakterizaci byly připraveny dvě sady vzorků o různých výkonech a tloušťkách. Na základě výsledků byla vyhodnocena statistika objektů vyskytujících se na povrchu tenkých filmů připravených za různých depozičních podmínek.The thesis describes surface topography of a-CSi:H films deposited by continuous wave plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) based on tetravinylsilane monomer (TVS). Thin films are completely used in many fields of modern technologies and their physical and mechanical properties are affected by thin film preparation techniques. In this thesis the thin films were deposited by PECVD method on silicon wafers with the pure TVS monomer. Deposited samples were topographically described and analyzed using atomic force microscopy (AFM). The main characteristics which were described are RMS roughness, autocorrelation function and a size distribution of grains on the thin film surface. Analysis was realized with two sets of samples with different powers and thickness. The main results were statistically evaluated like a mixture of object on the surface prepared in different deposition conditions.