Leptání SiO2 pomocí depozice Si

Simple item page
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)cs
but.defencecs
but.jazykčeština (Czech)
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorPolčák, Josefcs
dc.contributor.authorPokorný, Davidcs
dc.contributor.refereeBábor, Petrcs
dc.date.accessioned2019-04-03T22:34:44Z
dc.date.available2019-04-03T22:34:44Z
dc.date.created2017cs
dc.description.abstractTato bakalářská práce se zabývá jednou z nejzajímavějších reakcí probíhajících v pevné fázi v UHV podmínkách, a to rozkladem SiO2 podle rovnice Si + SiO2 = 2SiO. Využívá dosud nevyzkoušený postup - dodání Si atomů nikoli ze substrátu, ale přímou depozicí na povrch oxidu. Jako zdroj křemíkových atomů byla použita efuzní cela. K objasnění principu této reakce bylo využito jak depozice křemíku na SiO2 substrát za pokojové teploty, tak za zvýšené teploty. Byla stanovena aktivační energie a teplotní závislost rychlosti této reakce. Také byla ověřena možnost leptání SiO2 pomocí depozice Si za UHV podmínek. Připravené vzorky byly zkoumány pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie a mikroskopie atomárních sil.cs
dc.description.abstractThis bachelor thesis deals with one of the most interesting reactions taking place in the solid phase in UHV conditions and that is decomposition of SiO2 according to the equation Si + SiO2 = 2SiO. It was used the previously untested procedure - providing Si atoms not from substrate, but by direct deposition on the surface of the oxide. As a source of silicon atoms was used effusion cell. Deposition of silicon on SiO2 substrate was used at room temperature and at elevated temperature to clarify the principle of this reaction. The activation energy and temperature dependence of the reaction rate was determined. It was also verified the possibility of etching SiO2 by Si deposition in UHV conditions. The prepared samples were examined by x-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationPOKORNÝ, D. Leptání SiO2 pomocí depozice Si [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2017.cs
dc.identifier.other101532cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/65057
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectkřemíkcs
dc.subjectSiOcs
dc.subjectSiO2cs
dc.subjectdepozicecs
dc.subjecttermální rozkladcs
dc.subjecttenká vrstvacs
dc.subjectXPScs
dc.subjectAFMcs
dc.subjectUHVcs
dc.subjectsiliconen
dc.subjectSiOen
dc.subjectSiO2en
dc.subjectdepositionen
dc.subjectthermal decompositionen
dc.subjectthin filmen
dc.subjectXPSen
dc.subjectAFMen
dc.subjectUHVen
dc.titleLeptání SiO2 pomocí depozice Sics
dc.title.alternativeSiO2 etching by Si depositionen
dc.typeTextcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
dcterms.dateAccepted2017-06-09cs
dcterms.modified2017-06-16-13:40:21cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid101532en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.12 09:04:34en
sync.item.modts2021.11.12 08:23:13en
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
2.56 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
review_101532.html
Size:
8.23 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
review_101532.html
Download
Collections
2017