Leptání SiO2 pomocí depozice Si
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Tato bakalářská práce se zabývá jednou z nejzajímavějších reakcí probíhajících v pevné fázi v UHV podmínkách, a to rozkladem SiO2 podle rovnice Si + SiO2 = 2SiO. Využívá dosud nevyzkoušený postup - dodání Si atomů nikoli ze substrátu, ale přímou depozicí na povrch oxidu. Jako zdroj křemíkových atomů byla použita efuzní cela. K objasnění principu této reakce bylo využito jak depozice křemíku na SiO2 substrát za pokojové teploty, tak za zvýšené teploty. Byla stanovena aktivační energie a teplotní závislost rychlosti této reakce. Také byla ověřena možnost leptání SiO2 pomocí depozice Si za UHV podmínek. Připravené vzorky byly zkoumány pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie a mikroskopie atomárních sil.
This bachelor thesis deals with one of the most interesting reactions taking place in the solid phase in UHV conditions and that is decomposition of SiO2 according to the equation Si + SiO2 = 2SiO. It was used the previously untested procedure - providing Si atoms not from substrate, but by direct deposition on the surface of the oxide. As a source of silicon atoms was used effusion cell. Deposition of silicon on SiO2 substrate was used at room temperature and at elevated temperature to clarify the principle of this reaction. The activation energy and temperature dependence of the reaction rate was determined. It was also verified the possibility of etching SiO2 by Si deposition in UHV conditions. The prepared samples were examined by x-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy.
This bachelor thesis deals with one of the most interesting reactions taking place in the solid phase in UHV conditions and that is decomposition of SiO2 according to the equation Si + SiO2 = 2SiO. It was used the previously untested procedure - providing Si atoms not from substrate, but by direct deposition on the surface of the oxide. As a source of silicon atoms was used effusion cell. Deposition of silicon on SiO2 substrate was used at room temperature and at elevated temperature to clarify the principle of this reaction. The activation energy and temperature dependence of the reaction rate was determined. It was also verified the possibility of etching SiO2 by Si deposition in UHV conditions. The prepared samples were examined by x-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy.
Description
Citation
POKORNÝ, D. Leptání SiO2 pomocí depozice Si [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2017.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda)
prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of acceptance
2017-06-09
Defence
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení