Experimentální měření dielektrických funkcí pomocí elipsometrie

Abstract

Tato práce se zabývá širokým využitím charakterizační metody spektroskopické elipsometrie (SE). Je uvedeno měření dielektrické funkce termického oxidu SiO2 a jeho tloušťky na křemíkovém substrátu. Dále je prezentována rozličná dielektrická funkce tenké zlaté vrstvy, její ryze kovové a dielektrické vlastnosti. Metoda SE je použita pro determinaci časově proměnných vrstev v podobě rychlosti růstu oxidů mědi. Dále je změřena dielektrická funkce fotoluminiscenčního materiálu CsPbBr3 na níž je prezentováno nalezení kvantových přechodů v daném materiálu. V neposlední řadě je vytvořen program v pythonu umožňující kompletní analýzu elipsometrických dat získaných obrazovou mikro elipsometrií na fázově proměnném Sb2S3.This work deals with the broad application of the spectral ellipsometry (SE) characterization method. It includes measurements of the dielectric function of thermal SiO2 and its thickness on a silicon substrate. Additionally, it presents diverse dielectric function of thin gold layer, highlighting its metallic and dielectric properties. The SE method is utilized for determining time-variable layers such as the growth rate of copper oxides. Furthermore, the dielectric function of the photoluminescent material CsPbBr3 is measured to identify quantum transitions within this perovskite material. Finally, a program in python is developed, enabling comprehensive analysis of ellipsometric data obtained via imaging microellipsometry on phase-change Sb2S3.