Analýza modelování neshodností různých modelů tranzistorů ve slabé a silné inverzi
| but.committee | doc. Ing. Jiří Háze, Ph.D. (předseda) Ing. Břetislav Mikel, Ph.D. (místopředseda) Ing. Alexandr Otáhal, Ph.D. (člen) Ing. Vojtěch Dvořák (člen) Ing. Miroslav Zatloukal (člen) | cs |
| but.defence | Student seznámil členy komise se svou balakářskou prací. Zodpověd všechny otázky které byly kladeny i otázky od openta. Dále se komise ptala jaký simulátor byl použit, pro analýzu obvodů. A případně jaký další simulátor by byl použit. Student odpověděl na všechny doplňující otázky. Student zopověděl i otázky ohledně modelů | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Mikroelektronika a technologie | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Háze, Jiří | cs |
| dc.contributor.author | Dvořák, Michal | cs |
| dc.contributor.referee | Kledrowetz, Vilém | cs |
| dc.date.accessioned | 2020-06-24T07:57:20Z | |
| dc.date.available | 2020-06-24T07:57:20Z | |
| dc.date.created | 2020 | cs |
| dc.description.abstract | Cílem práce je simulovat neshodnosti různých modelů tranzistorů a vytvořit metodologii, která umožní co nejpřesněji zhodnotit a porovnat výsledky měření a simulací s teoretickým základem. Výsledkem práce bude zhodnocení přesnosti modelování neshodnosti pro různé modely tranzistoru a porovnání jednotlivých modelů mezi sebou. | cs |
| dc.description.abstract | This work maps mismatch modeling for CMOS transistor in strong and weak inversion region. The goal is to build sufficient theoretical background describing origins of mismatch during manufacturing and its modeling and find suitable methodology, which will enable to compare 7 selected models of transistor, which was simulated. | en |
| dc.description.mark | B | cs |
| dc.identifier.citation | DVOŘÁK, M. Analýza modelování neshodností různých modelů tranzistorů ve slabé a silné inverzi [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2020. | cs |
| dc.identifier.other | 127703 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/190392 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | Neshodnost | cs |
| dc.subject | CMOS | cs |
| dc.subject | MOSFET | cs |
| dc.subject | model tranzistoru | cs |
| dc.subject | inverzní koeficient | cs |
| dc.subject | odchylka | cs |
| dc.subject | Mismatch | en |
| dc.subject | CMOS | en |
| dc.subject | MOSFET | en |
| dc.subject | transistor model | en |
| dc.subject | inversion factor | en |
| dc.subject | deviation | en |
| dc.title | Analýza modelování neshodností různých modelů tranzistorů ve slabé a silné inverzi | cs |
| dc.title.alternative | Analysis of mismatch modeling for various transistor models in weak and strong inversion | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2020-06-23 | cs |
| dcterms.modified | 2020-06-25-13:55:19 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| sync.item.dbid | 127703 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2021.11.12 17:01:37 | en |
| sync.item.modts | 2021.11.12 15:53:41 | en |
| thesis.discipline | bez specializace | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektroniky | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |