Analýza modelování neshodností různých modelů tranzistorů ve slabé a silné inverzi

Loading...
Thumbnail Image

Date

Authors

Dvořák, Michal

Mark

B

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

ORCID

Abstract

Cílem práce je simulovat neshodnosti různých modelů tranzistorů a vytvořit metodologii, která umožní co nejpřesněji zhodnotit a porovnat výsledky měření a simulací s teoretickým základem. Výsledkem práce bude zhodnocení přesnosti modelování neshodnosti pro různé modely tranzistoru a porovnání jednotlivých modelů mezi sebou.
This work maps mismatch modeling for CMOS transistor in strong and weak inversion region. The goal is to build sufficient theoretical background describing origins of mismatch during manufacturing and its modeling and find suitable methodology, which will enable to compare 7 selected models of transistor, which was simulated.

Description

Citation

DVOŘÁK, M. Analýza modelování neshodností různých modelů tranzistorů ve slabé a silné inverzi [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2020.

Document type

Document version

Date of access to the full text

Language of document

cs

Study field

bez specializace

Comittee

doc. Ing. Jiří Háze, Ph.D. (předseda) Ing. Břetislav Mikel, Ph.D. (místopředseda) Ing. Alexandr Otáhal, Ph.D. (člen) Ing. Vojtěch Dvořák, Ph.D. (člen) Ing. Miroslav Zatloukal (člen)

Date of acceptance

2020-06-23

Defence

Student seznámil členy komise se svou balakářskou prací. Zodpověd všechny otázky které byly kladeny i otázky od openta. Dále se komise ptala jaký simulátor byl použit, pro analýzu obvodů. A případně jaký další simulátor by byl použit. Student odpověděl na všechny doplňující otázky. Student zopověděl i otázky ohledně modelů

Result of defence

práce byla úspěšně obhájena

DOI

Collections

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By

Citace PRO