Teplotní stabilita naprašovaných vrstev oxidu yttria
Loading...
Date
Authors
Kršňák, Jiří
Advisor
Referee
Mark
D
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
ORCID
Abstract
Tato práce se zabývá chováním naprášené tenké vrstvy oxidu yttria po teplotním namáhání. V rámci řešení byly deponovány tenké vrstvy oxidu yttria na křemíkové substráty, které byly vystavovány různým cyklům teplotního namáhání. Testované struktury byly zkoumány před a po teplotním namáhání z hlediska stability povrchové topografie za pomoci elektronové mikroskopie.
This work deals with behavior of deposited yttrium oxide thin film after heat stress. Within solution thin yttrium oxide films were deposited at silicon substrates, which were exposed to various cycles of heat stress. Tested structures were investigated before and after heat stress in term of surface topography stability with the hepl of electron microscopy.
This work deals with behavior of deposited yttrium oxide thin film after heat stress. Within solution thin yttrium oxide films were deposited at silicon substrates, which were exposed to various cycles of heat stress. Tested structures were investigated before and after heat stress in term of surface topography stability with the hepl of electron microscopy.
Description
Citation
KRŠŇÁK, J. Teplotní stabilita naprašovaných vrstev oxidu yttria [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. (předseda)
doc. Ing. Ladislav Hulenyi, CSc. (místopředseda)
doc. Ing. Jaroslav Kadlec, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Pavel Legát, CSc. (člen)
Ing. Zdenka Rozsívalová (člen)
Date of acceptance
2009-06-11
Defence
Student Jiří Krsňák seznámil komisi se svoji bakalařskou prací na téma: Teplotní stabilita naprašovaných vrstev oxidu yttria.
Student odpověděl na otázky oponenta - 1) Všechny depozice popsané v práci byly prováděny při tlaku přibližně 1,1 Pa. Proč byl zvolen tento tlak? Jaké změny depozičního procesu lze očekávat při použití menšího depozičního tlaku?
2) Jaké frekvence se používají pro vysokofrekvenční naprašování a proč?
Proběhla rozprava k tématu bakalárské práce.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena