Zpětné zotavení ve výkonových integrovaných obvodech

Simple item page
but.committeeprof. Ing. Jaroslav Boušek, CSc. (předseda) doc. Ing. František Urban, CSc. (místopředseda) Ing. Edita Hejátková (člen) doc. Ing. Radovan Novotný, Ph.D. (člen) Ing. Michal Řezníček, Ph.D. (člen)cs
but.defenceStudent seznámil státní zkušební komisi s cílem a řešením své diplomové práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Otázky k diskuzi: Jaká bude rychlost signálu v koaxiálním vedení? - zodpovězeno.cs
but.jazykangličtina (English)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorBoušek, Jaroslaven
dc.contributor.authorŠuľan, Dušanen
dc.contributor.refereeŽák, Jaromíren
dc.date.accessioned2018-10-29T12:06:44Z
dc.date.available2019-06-08cs
dc.date.created2016cs
dc.description.abstractPředkládaná práce se zabývá parametrem “Reverse Recovery Time“ u polovodičových prvků a jeho vlivem na typické spínací obvody. V první části práce je objasněno co je “Reverse Recovery Time“ a jeho jednotlivé části. V další sekci je popsána jeho fyzikální podstata. Na konci teoretická části je rozebrán jeho efekt na spínací ztráty a doporučená metoda měření tohto parametru . Praktická část práce je zaměřena na simulace Dpdr45nres45 v prostředích Cadence a TCAD. Poslední část se zabývá návrhem obvodu na měření u reálných diod a samotným měřením diod a tranzistorů.en
dc.description.abstractThe present Master’s thesis deals with the parameter "Reverse Recovery Time" for semiconductor devices and its impact on a typical switching circuits. The first part will clarify what is the "Reverse Recovery Time" and its individual parts is. The next section describes the physical principles. At the end of the theoretical part I am going to analyze the effect on the switching losses and the recommended method of measuring this parameter. The practical part focuses on simulations Dpdr45nres45 diodes in Cadence and TCAD. The last part deals with the design of the circuit for measurements real diodes and show diodes and transistors measurements.cs
dc.description.markCcs
dc.identifier.citationŠUĽAN, D. Zpětné zotavení ve výkonových integrovaných obvodech [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.cs
dc.identifier.other94022cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/59904
dc.language.isoencs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsPřístup k plnému textu prostřednictvím internetu byl licenční smlouvou omezen na dobu 3 roku/letcs
dc.subjectReverse Recovery Timeen
dc.subjectdiodaen
dc.subjectTCADen
dc.subjectdoba života minoritních nosičůen
dc.subjectLDMOS.en
dc.subjectReverse Recovery Timecs
dc.subjectdiodecs
dc.subjectTCADcs
dc.subjectminority carrier lifetimecs
dc.subjectLDMOS.cs
dc.titleZpětné zotavení ve výkonových integrovaných obvodechen
dc.title.alternativeReverse recovery in power integrated circuitscs
dc.typeTextcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
dcterms.dateAccepted2016-06-08cs
dcterms.modified2016-06-10-12:57:43cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid94022en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.22 23:08:39en
sync.item.modts2021.11.22 21:59:37en
thesis.disciplineMikroelektronikacs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektronikycs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
review_94022.html
Size:
6.13 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
review_94022.html
Download
Collections
2016