Zpětné zotavení ve výkonových integrovaných obvodech

Abstract

Předkládaná práce se zabývá parametrem “Reverse Recovery Time“ u polovodičových prvků a jeho vlivem na typické spínací obvody. V první části práce je objasněno co je “Reverse Recovery Time“ a jeho jednotlivé části. V další sekci je popsána jeho fyzikální podstata. Na konci teoretická části je rozebrán jeho efekt na spínací ztráty a doporučená metoda měření tohto parametru . Praktická část práce je zaměřena na simulace Dpdr45nres45 v prostředích Cadence a TCAD. Poslední část se zabývá návrhem obvodu na měření u reálných diod a samotným měřením diod a tranzistorů.The present Master’s thesis deals with the parameter "Reverse Recovery Time" for semiconductor devices and its impact on a typical switching circuits. The first part will clarify what is the "Reverse Recovery Time" and its individual parts is. The next section describes the physical principles. At the end of the theoretical part I am going to analyze the effect on the switching losses and the recommended method of measuring this parameter. The practical part focuses on simulations Dpdr45nres45 diodes in Cadence and TCAD. The last part deals with the design of the circuit for measurements real diodes and show diodes and transistors measurements.