Výpočty interakce systému grafen/SiO2 s adsorbovanými atomy a molekulami pomocí DFT metod
but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
but.jazyk | čeština (Czech) | |
but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
dc.contributor.advisor | Bartošík, Miroslav | cs |
dc.contributor.author | Nezval, David | cs |
dc.contributor.referee | Friák, Martin | cs |
dc.date.created | 2015 | cs |
dc.description.abstract | Tato diplomová práce studuje změny elektrických vlastností grafenu vlivem substrátu SiO2, adsorbovaných molekul vody a atomů gallia. Jsou zde testovány různé geometrické konfigurace těchto systémů a následně počítána pásová spektra pro odvození změn elektronových vlastností: zejména dopování a otevírání pásu zakázaných energií grafenové vrstvy. | cs |
dc.description.abstract | This master's thesis studies the electronic properties changes of graphene caused by substrate SiO2, adsorbed molecules of water and atoms of gallium. There are tested different geometrical configurations of these systems and consequently calculated band structures to derive the changes of the electronic properties: the doping effect and band gap opening of graphene layer. | en |
dc.description.mark | A | cs |
dc.identifier.citation | NEZVAL, D. Výpočty interakce systému grafen/SiO2 s adsorbovanými atomy a molekulami pomocí DFT metod [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2015. | cs |
dc.identifier.other | 83925 | cs |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/41570 | |
dc.language.iso | cs | cs |
dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
dc.subject | Ab initio výpočty | cs |
dc.subject | grafen | cs |
dc.subject | elektronové vlastnosti | cs |
dc.subject | substrát SiO2 | cs |
dc.subject | voda | cs |
dc.subject | gallium | cs |
dc.subject | Ab initio calculations | en |
dc.subject | graphene | en |
dc.subject | electronic properties | en |
dc.subject | substrate SiO | en |
dc.subject | water | en |
dc.subject | gallium | en |
dc.title | Výpočty interakce systému grafen/SiO2 s adsorbovanými atomy a molekulami pomocí DFT metod | cs |
dc.title.alternative | Calculation of Interactions of Graphene/SiO2 System with Adsorbed Atoms and Molecules using DFT Methods | en |
dc.type | Text | cs |
dc.type.driver | masterThesis | en |
dc.type.evskp | diplomová práce | cs |
dcterms.dateAccepted | 2015-06-23 | cs |
dcterms.modified | 2019-10-02-15:21:36 | cs |
eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
sync.item.dbid | 83925 | en |
sync.item.dbtype | ZP | en |
sync.item.insts | 2025.03.27 07:58:19 | en |
sync.item.modts | 2025.01.15 18:12:46 | en |
thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
thesis.level | Inženýrský | cs |
thesis.name | Ing. | cs |