Výpočty interakce systému grafen/SiO2 s adsorbovanými atomy a molekulami pomocí DFT metod

Loading...
Thumbnail Image

Date

Authors

Nezval, David

Mark

A

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství

ORCID

Abstract

Tato diplomová práce studuje změny elektrických vlastností grafenu vlivem substrátu SiO2, adsorbovaných molekul vody a atomů gallia. Jsou zde testovány různé geometrické konfigurace těchto systémů a následně počítána pásová spektra pro odvození změn elektronových vlastností: zejména dopování a otevírání pásu zakázaných energií grafenové vrstvy.
This master's thesis studies the electronic properties changes of graphene caused by substrate SiO2, adsorbed molecules of water and atoms of gallium. There are tested different geometrical configurations of these systems and consequently calculated band structures to derive the changes of the electronic properties: the doping effect and band gap opening of graphene layer.

Description

Citation

NEZVAL, D. Výpočty interakce systému grafen/SiO2 s adsorbovanými atomy a molekulami pomocí DFT metod [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2015.

Document type

Document version

Date of access to the full text

Language of document

cs

Study field

Fyzikální inženýrství a nanotechnologie

Comittee

prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)

Date of acceptance

2015-06-23

Defence

Result of defence

práce byla úspěšně obhájena

DOI

Collections

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By

Citace PRO