Depozice GaN nanokrystalů s Ag nanočásticemi
Loading...
Date
Authors
Michalko, Matej
ORCID
Advisor
Referee
Mark
B
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Predstavená bakalárska práca sa zaoberá prípravou GaN nanokryštálov s Ag nanočasticami. V teoretickej časti je predstavený GaN, jeho vlastnosti a aplikácie. Ďalej sú uvedené možné substráty pre rast GaN a metódy prípravy, s hlavným zameraním na MBE. Práca pojednáva aj o základných princípoch fotoluminiscencie a jej zvyšovania pomocou kovových nanočastíc. Experimentálna časť sa zapodieva prípravou GaN nanokryštálov s Ag nanočasticami. Najprv sú nadeponované Ga ostrovčeky na Si(111) substrát, Druhým krokom je nitridácia Ga. Následne sú nanesené Ag nanočastice rôznych veľkostí. Jednotlivé kroky boli optimalizované a zmerané analyzačnými technikami ako SEM a fotoluminiscencia. Nakoniec bola vytvorená závislosť zvyšovania fotoluminiscencie v závislosti na veľkosti Ag nanočastíc.
The presented bachelor thesis deals with the preparation of GaN nanocrystals with Ag nanoparticles. In the theoretical part GaN, its properties and applications are introduced. Furthermore, possible substrates for GaN growth and preparation methods are presented, with a main focus on MBE. The thesis also discusses the basic principles of photoluminescence and its enhancement using metal nanoparticles. The experimental part deals with the preparation of GaN nanocrystals with Ag nanoparticles. First, Ga islands are deposited on Si(111) substrate, the second step is Ga nitridation. Subsequently, Ag nanoparticles of different sizes are deposited. The different steps were optimized and measured by analytical techniques such as SEM and photoluminescence. Finally, the dependence of the photoluminescence enhancement on the size of Ag nanoparticles was established.
The presented bachelor thesis deals with the preparation of GaN nanocrystals with Ag nanoparticles. In the theoretical part GaN, its properties and applications are introduced. Furthermore, possible substrates for GaN growth and preparation methods are presented, with a main focus on MBE. The thesis also discusses the basic principles of photoluminescence and its enhancement using metal nanoparticles. The experimental part deals with the preparation of GaN nanocrystals with Ag nanoparticles. First, Ga islands are deposited on Si(111) substrate, the second step is Ga nitridation. Subsequently, Ag nanoparticles of different sizes are deposited. The different steps were optimized and measured by analytical techniques such as SEM and photoluminescence. Finally, the dependence of the photoluminescence enhancement on the size of Ag nanoparticles was established.
Description
Citation
MICHALKO, M. Depozice GaN nanokrystalů s Ag nanočásticemi [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2024.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
sk
Study field
bez specializace
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (místopředseda)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. Ing. Jan Čechal, Ph.D. (člen)
prof. Ing. Miroslav Kolíbal, Ph.D. (člen)
doc. Mgr. Vlastimil Křápek, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Miroslav Bartošík, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of acceptance
2024-06-13
Defence
Po otázkách oponenta bylo dále diskutováno:
Struktury GaN.
Závislost fotoluminiscence na velikosti částic.
Student na otázky odpověděl.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení