MICHALKO, M. Depozice GaN nanokrystalů s Ag nanočásticemi [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2024.
Téma bakalářské práce je velmi aktuální a významné pro moderní průmysl. Nitrid galitý (GaN) je materiál s výjimečnými fyzikálními a chemickými vlastnostmi, které ho předurčují k širokému využití v elektronice a optoelektronice. Mezi přednosti tohoto materiálu patří jeho široký zakázaný pás, vysoká tepelná kapacita a chemická stabilita. GaN je velmi relevantní pro výzkum a vývoj nových technologií, jako jsou vysokovýkonné tranzistory a LED diody. Práce je dobře strukturovaná a až na drobné nuance logicky uspořádaná. Úvodní část poskytuje přehled základních vlastností GaN a jeho významu v průmyslu. Druhá kapitola věnující se epitaxnímu růstu GaN a možnostem jeho výroby je zásadní pro pochopení technologických procesů přípravy GaN na jednotlivých substrátech. Třetí kapitola o fotoluminiscenci a možnostech jejího zlepšení pomocí stříbrných nanočástic poukazuje na aplikace a možnosti zvýšení efektivity těchto materiálů, zejména jejich optických vlastností. Závěrečná kapitola popisující experimentální část práce je důkladně zpracovaná a jasně vysvětluje metodologii přípravy GaN nanokrystalů a jejich následné testování. Dále student uvádí závislosti fotoluminiscence na velikosti stříbrných nanočástic, které budou přínosné pro další výzkum a praktické aplikace. Student je pečlivý a zodpovědný při práci v laboratoři, umí se zorientovat v problematice a samostatně pracovat. Celkově hodnotím práci velmi pozitivně a doporučuji ji k obhajobě s vysokým hodnocením.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění požadavků a cílů zadání | B | ||
| Postup a rozsah řešení, adekvátnost použitých metod | A | ||
| Vlastní přínos a originalita | B | ||
| Schopnost interpretovat dosažené výsledky a vyvozovat z nich závěry | A | ||
| Využitelnost výsledků v praxi nebo teorii | A | ||
| Logické uspořádání práce a formální náležitosti | B | ||
| Grafická, stylistická úprava a pravopis | B | ||
| Práce s literaturou včetně citací | C | ||
| Samostatnost studenta při zpracování tématu | A |
Student Matej Michalko předkládá bakalářskou práci s velmi aktuální a zajímavou tématikou zesílení fotoluminiscence (PL) polovodičového materiálu GaN pomocí plazmonické indukce v kovových nanočásticích. Využitelnost výsledků v praxi může být tedy velmi podstatné. Stanovené cíle byly z většiny splněny, ale chybí využití některých zásadních technik, které by pomohli důvěryhodnosti a interpretace získaných výsledků: například Ramanova spektroskopie s PL mapováním, které by prokázalo PL zesílení vlivem Ag nanočástic, či velmi chybějící Energiově disperzní rentgenová spektroskopie (EDS), která by potvrdila některé výroky o materiálovém složení vzorků. S tím souvisí i vědecky nepodložená intepretace naměřeních dat a vyvozování experimentálních závěrů. Práce obsahuje poměrně malé množství stylistických a pravopisných chyb. Na druhou stranu v práci chybí jasnější vědecká motivace, proč jsou některé úkony a samotný výzkum dělán, a také chybí shrnutí kapitol a přechody mezi jednotlivými kapitolami, které by pomohli čtenáři pochopit plynulost textu a tuto vědeckou motivaci. S tím souvisí i chybějící rešeršní studie moderních vědeckých článku, více viz oponentská otázka. Dále jsou v práci například popsány zbytečně detailně různé substráty, které lze použít pro depozici GaN, ale o stěžejním Si(111) se toho čtenář moc nedozví: není třeba vysvětleno jak roste GaN na Si(100) a už zcela chybí popis toho, co způsobuje pro růst mezivrstva grafenu na Si(111). Asi nejslabší stránkou předkládané práce je práce s odbornou literaturou a její vhodné citovaní. Jako omluvu snad poskytuje fakt, že autor je na počátku své badatelské kariery. Mezi silné stránky bakalářské práce patří jistě originalita výzkumu a velmi zajímavé vědecké výsledky, především pak závislost na obrázku 4.9. Škoda, že některé hlubší hypotézy zatím nebyly prokázány, to ale otevírá prostor pro navazující výzkum. Z práce je patrné, že výzkum je jistě časově náročný a lze proto omluvit chybějící systematický výzkum (např. chybějící PL spektra pro GaN na grafenové vrstvě). Celkově dojem z předkládané práce je ale velmi dobrý, a proto doporučuji práci k obhajobě s výslednou známkou mezi B až C.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění požadavků a cílů zadání | B | ||
| Postup a rozsah řešení, adekvátnost použitých metod | C | ||
| Vlastní přínos a originalita | A | ||
| Schopnost interpretovat dosaž. výsledky a vyvozovat z nich závěry | B | ||
| Využitelnost výsledků v praxi nebo teorii | A | ||
| Logické uspořádání práce a formální náležitosti | B | ||
| Grafická, stylistická úprava a pravopis | A | ||
| Práce s literaturou včetně citací | D |
eVSKP id 158280