Návrh nového termálního disociačního zdroje kyslíkových atomů

Abstract

Pomocí atomárních zdrojů kyslíku se vyrábí a studují ultratenké oxidové vrstvy, především tzv. high-k vrstvy. Ty jsou základem CMOS tranzistorů a DRAM kondenzátorů. Tato práce zpracovává teorii atomárních svazků kyslíku a způsoby jejich získání. Na základě těchto podkladů je vytvořen konstrukční návrh unikátního typu disociačního atomárního zdroje kyslíku. Návrh byl testován jednoduchými experimenty. Dale je vypracován 3D model zdroje a kompletní výkresová dokumentace.Ultrathin oxid layers (especially high-k layers) are studied and fabricated by using atomic oxygen sources. These high-k ultrathin layers are integrated into CMOS transistors and DRAM capacitors. In this thesis theory of atomic oxygen beams and ways of theirs creation is summarized. On the basis of the obtained knowledge the engineering design of a unique type of the thermal atomic oxygen source is created. The design was tested by simple experiments. The 3D model and complete engineering drawings are included.