Základní vlastnosti polovodičových materiálů

Simple item page
but.committeeprof. Ing. Jaromír Kadlec, CSc. (předseda) doc. Ing. Josef Jirák, CSc. (místopředseda) doc. Ing. Josef Šandera, Ph.D. (člen) Ing. Karel Pospíšil (člen) Ing. Pavel Prosr, Ph.D. (člen)cs
but.defenceStudent seznámil státní zkušební komisi s podstatnou částí své bakalářské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Otázky u obhajoby: Vysvětlete úroveň injekce nosičů do polovodiče, rozdíl mezi intrinzickým a neintrinzickým polovodičem. Jaký vliv má pouzdro diody na přechodový odpor? Byla uvažována tepolota prostředí a její případné změny? Rozdil VA charakteristiky osvícené a neosvícené diody. Jak se mění pohyblivost nosičů v závislosti na jejich koncentraci?cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorŠpinka, Jiřícs
dc.contributor.authorKahánek, Tomášcs
dc.contributor.refereeJirák, Josefcs
dc.date.created2010cs
dc.description.abstractPředkládaná práce se zabývá základními vlastnostmi polovodičových materiálů a metodami měření vlastností polovodičů. Práce je zaměřena na metody bezkontaktních měření, kde se využívá světelných paprsků ke generaci náboje v polovodiči. Testy byly prováděny pro příměsové polovodiče na přechodu PN barevných diod a na vzorku křemíku s vysokou rezistivitou na kterém byla zjišťována absorpční hrana.cs
dc.description.abstractThis work deals with fundamental properties of semiconductors materials and methods of their measuring. This work is focused on non-contact methods using light to generate electric charge in semiconductor. Tests were focused on measuring characteristics of PN transition light diods and semiconductor specimen with big resistivity, there was founded absorption edge of silicon.en
dc.description.markDcs
dc.identifier.citationKAHÁNEK, T. Základní vlastnosti polovodičových materiálů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2010.cs
dc.identifier.other32814cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/9714
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectPolovodičcs
dc.subjectnosič nábojecs
dc.subjectgenerace nábojecs
dc.subjectrekombinacecs
dc.subjectvlnová délkacs
dc.subjectLED diodacs
dc.subjectSemiconductoren
dc.subjectcharge carrieren
dc.subjectcharge generationen
dc.subjectrecombinationen
dc.subjectwavelenghten
dc.subjectLED diodeen
dc.titleZákladní vlastnosti polovodičových materiálůcs
dc.title.alternativeFundamental properties of semicomductor materilasen
dc.typeTextcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
dcterms.dateAccepted2010-06-14cs
dcterms.modified2010-07-13-11:45:12cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid32814en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.16 13:16:54en
sync.item.modts2025.01.15 20:48:01en
thesis.disciplineMikroelektronika a technologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav elektrotechnologiecs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
1.23 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
appendix-1.zip
Size:
291.69 KB
Format:
zip
Description:
appendix-1.zip
Download
Thumbnail Image
Name:
review_32814.html
Size:
8.55 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_32814.html
Download
Collections
2010