Základní vlastnosti polovodičových materiálů
Loading...
Date
Authors
Kahánek, Tomáš
ORCID
Advisor
Referee
Mark
D
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Předkládaná práce se zabývá základními vlastnostmi polovodičových materiálů a metodami měření vlastností polovodičů. Práce je zaměřena na metody bezkontaktních měření, kde se využívá světelných paprsků ke generaci náboje v polovodiči. Testy byly prováděny pro příměsové polovodiče na přechodu PN barevných diod a na vzorku křemíku s vysokou rezistivitou na kterém byla zjišťována absorpční hrana.
This work deals with fundamental properties of semiconductors materials and methods of their measuring. This work is focused on non-contact methods using light to generate electric charge in semiconductor. Tests were focused on measuring characteristics of PN transition light diods and semiconductor specimen with big resistivity, there was founded absorption edge of silicon.
This work deals with fundamental properties of semiconductors materials and methods of their measuring. This work is focused on non-contact methods using light to generate electric charge in semiconductor. Tests were focused on measuring characteristics of PN transition light diods and semiconductor specimen with big resistivity, there was founded absorption edge of silicon.
Description
Citation
KAHÁNEK, T. Základní vlastnosti polovodičových materiálů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2010.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
prof. Ing. Jaromír Kadlec, CSc. (předseda)
doc. Ing. Josef Jirák, CSc. (místopředseda)
doc. Ing. Josef Šandera, Ph.D. (člen)
Ing. Karel Pospíšil (člen)
Ing. Pavel Prosr, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2010-06-14
Defence
Student seznámil státní zkušební komisi s podstatnou částí své bakalářské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta.
Otázky u obhajoby:
Vysvětlete úroveň injekce nosičů do polovodiče, rozdíl mezi intrinzickým a neintrinzickým polovodičem.
Jaký vliv má pouzdro diody na přechodový odpor?
Byla uvažována tepolota prostředí a její případné změny?
Rozdil VA charakteristiky osvícené a neosvícené diody.
Jak se mění pohyblivost nosičů v závislosti na jejich koncentraci?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení