Diagnostika polovodičových materiálů metodou EBIC
Loading...
Date
Authors
Davidová, Lenka
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Diplomová práce je zaměřena na diagnostiku polovodičových materiálů metodou EBIC (měření proudů indukovaných svazkem), stanovování doby života minoritních nosičů, resp. jejich difuzní délky. V teoretické části práce je uveden princip rastrovacího elektronového mikroskopu, jeho charakteristické vlastnosti mikroskopu a signály vznikající při interakci svazku primárních elektronů se vzorkem. Dále je v práci popsána struktura polovodivého křemíku, jeho pásové modely, typy poruch krystalové mříže a vytvoření nevlastních polovodičových struktur. Následně je popsána teorie výpočtu doby života minoritních nosičů náboje a výpočty difuzní délky minoritních nosičů náboje v polovodičích typu N a P. Cílem experimentální části práce je měření vlastností polovodičových struktur metodou EBIC a stanovení difuzní délky a doby života minoritních nosičů náboje na základě změřených dat.
Master´s thesis is focused on diagnostics of semiconductor materials by EBIC method (measuring of currents induced beam), determination of the lifetime of minority carriers, or their diffusion length. The theoretical part is aimed at the principle of scanning electron microscopy, the characteristic properties of the microscope and the signals generated by the interaction of the primary electron beam with the sample. The thesis describes a structure of semiconducting silicon, band models, types of lattice defects and doped of semiconductor structures. After that it is described the theory of calculation of the diffusion length of minority carriers in semiconductors of type N and P. The aim of the experiment part of the thesis is to measure the properties of the semiconductor structure by EBIC and determination of diffusion length and lifetime of minority charge carriers based on the measured data The aim of the experiment part of the thesis is to measure the properties of the semiconductor structure by EBIC and determination of diffusion length and lifetime of minority charge carriers on the basis of the measured data.
Master´s thesis is focused on diagnostics of semiconductor materials by EBIC method (measuring of currents induced beam), determination of the lifetime of minority carriers, or their diffusion length. The theoretical part is aimed at the principle of scanning electron microscopy, the characteristic properties of the microscope and the signals generated by the interaction of the primary electron beam with the sample. The thesis describes a structure of semiconducting silicon, band models, types of lattice defects and doped of semiconductor structures. After that it is described the theory of calculation of the diffusion length of minority carriers in semiconductors of type N and P. The aim of the experiment part of the thesis is to measure the properties of the semiconductor structure by EBIC and determination of diffusion length and lifetime of minority charge carriers based on the measured data The aim of the experiment part of the thesis is to measure the properties of the semiconductor structure by EBIC and determination of diffusion length and lifetime of minority charge carriers on the basis of the measured data.
Description
Keywords
Rastrovací elektronový mikroskop, EBIC, vlastní polovodič, nevlastní polovodič, PN přechod, difuzní délka nosičů, doba života nosičů, urychlovací napětí., Scanning electron microscope, EBIC, intrinsic semiconductor, extrinsic semiconductor, PN junction, diffusion length, carrier lifetimes, acceleration voltage.
Citation
DAVIDOVÁ, L. Diagnostika polovodičových materiálů metodou EBIC [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2017.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Elektrotechnická výroba a materiálové inženýrství
Comittee
prof. Ing. Jiří Kazelle, CSc. (předseda)
doc. Ing. Marie Sedlaříková, CSc. (místopředseda)
Ing. Ladislav Chladil, Ph.D. (člen)
Ing. Petr Dvořák, Ph.D. (člen)
Ing. Miroslav Zatloukal (člen)
Date of acceptance
2017-06-07
Defence
Student seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením závěrečné vysokoškolské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta.
1) Jaká byla přibližně tloušťka SiO2?
2) Z jakého důvodu vadila zmíněná infračervená kamera?
3) Co znamená zkratka EBIC?
4) Jaké je využití pro praxi?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení