Vývoj a aplikace UHV zařízení pro depozice tenkých vrstev (Atomární a iontové svazkové systémy)
but.committee | prof. Ing. Jiří Švejcar, CSc. (předseda) prof. RNDr. Vladimír Čech, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (člen) Ing. Jaroslav Sobota, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) | cs |
but.defence | Disertační práce zpracovává aktuální téma v oblasti materiálového výzkumu s vysokou možností aplikace výsledků v polovodičovém průmyslu. Ing. Mach zvládl náročné experimenty a dosáhl původních výsledků, které byly publikovány. Prokázal jimi schopnost samostatné vědecké práce a také schopnost týmové spolupráce, která vedla k výsledkům, na jejichž základě byla podána přihláška patentu týkající se iontově-atomárního zdroje. | cs |
but.jazyk | čeština (Czech) | |
but.program | Fyzikální a materiálové inženýrství | cs |
but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
dc.contributor.advisor | Šikola, Tomáš | cs |
dc.contributor.author | Mach, Jindřich | cs |
dc.contributor.referee | Čech, Vladimír | cs |
dc.contributor.referee | Lencová, Bohumila | cs |
dc.date.accessioned | 2019-11-27T20:28:46Z | |
dc.date.available | 2019-11-27T20:28:46Z | |
dc.date.created | 2010 | cs |
dc.description.abstract | V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty. | cs |
dc.description.abstract | In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature. | en |
dc.description.mark | P | cs |
dc.identifier.citation | MACH, J. Vývoj a aplikace UHV zařízení pro depozice tenkých vrstev (Atomární a iontové svazkové systémy) [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2010. | cs |
dc.identifier.other | 30192 | cs |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/1636 | |
dc.language.iso | cs | cs |
dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
dc.subject | ATOMÁRNÍ ZDROJ | cs |
dc.subject | IONTOVÝ ZDROJ | cs |
dc.subject | IONTOVĚ-ATOMÁRNÍ ZDROJ | cs |
dc.subject | TERMÁL-NÍ SVAZKY ATOMŮ KYSLIKU | cs |
dc.subject | TERMÁLNÍ SVAZKY ATOMŮ VODÍKU | cs |
dc.subject | ATO-MÁRNÍ VODÍK | cs |
dc.subject | ATOMÁRNÍ KYSLÍK | cs |
dc.subject | GAN | cs |
dc.subject | IBAD | cs |
dc.subject | IBAAD | cs |
dc.subject | MBE | cs |
dc.subject | RŮST ULTRA TENKÝCH. | cs |
dc.subject | ATOMIC SOURCE | en |
dc.subject | ION SOURCE | en |
dc.subject | ION-ATOMIC SOURCE | en |
dc.subject | THERMAL OXYGEN ATOM BEAM | en |
dc.subject | HYDROGEN THERMAL ATOM BEAM | en |
dc.subject | GAN | en |
dc.subject | IBAD | en |
dc.subject | IBAAD | en |
dc.subject | MBE | en |
dc.subject | GROWTH OF ULTRATHIN LAYER. | en |
dc.title | Vývoj a aplikace UHV zařízení pro depozice tenkých vrstev (Atomární a iontové svazkové systémy) | cs |
dc.title.alternative | Development and Application of an UHV Equipment for Deposition of Thin Films (Atomic and Ion Systems) | en |
dc.type | Text | cs |
dc.type.driver | doctoralThesis | en |
dc.type.evskp | dizertační práce | cs |
dcterms.dateAccepted | 2010-02-01 | cs |
dcterms.modified | 2010-02-01-15:58:44 | cs |
eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
sync.item.dbid | 30192 | en |
sync.item.dbtype | ZP | en |
sync.item.insts | 2020.05.22 13:15:08 | en |
sync.item.modts | 2020.05.22 12:51:17 | en |
thesis.discipline | Fyzikální a materiálové inženýrství | cs |
thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
thesis.level | Doktorský | cs |
thesis.name | Ph.D. | cs |
Files
Original bundle
1 - 3 of 3
Loading...
- Name:
- final-thesis.pdf
- Size:
- 7.08 MB
- Format:
- Adobe Portable Document Format
- Description:
- final-thesis.pdf
Loading...
- Name:
- thesis-1.pdf
- Size:
- 1.73 MB
- Format:
- Adobe Portable Document Format
- Description:
- thesis-1.pdf
Loading...
- Name:
- review_30192.html
- Size:
- 1.73 KB
- Format:
- Hypertext Markup Language
- Description:
- review_30192.html