Vývoj a aplikace UHV zařízení pro depozice tenkých vrstev (Atomární a iontové svazkové systémy)
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
P
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty.
In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature.
In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature.
Description
Keywords
ATOMÁRNÍ ZDROJ, IONTOVÝ ZDROJ, IONTOVĚ-ATOMÁRNÍ ZDROJ, TERMÁL-NÍ SVAZKY ATOMŮ KYSLIKU, TERMÁLNÍ SVAZKY ATOMŮ VODÍKU, ATO-MÁRNÍ VODÍK, ATOMÁRNÍ KYSLÍK, GAN, IBAD, IBAAD, MBE, RŮST ULTRA TENKÝCH., ATOMIC SOURCE, ION SOURCE, ION-ATOMIC SOURCE, THERMAL OXYGEN ATOM BEAM, HYDROGEN THERMAL ATOM BEAM, GAN, IBAD, IBAAD, MBE, GROWTH OF ULTRATHIN LAYER.
Citation
MACH, J. Vývoj a aplikace UHV zařízení pro depozice tenkých vrstev (Atomární a iontové svazkové systémy) [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2010.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální a materiálové inženýrství
Comittee
prof. Ing. Jiří Švejcar, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Vladimír Čech, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (člen)
Ing. Jaroslav Sobota, CSc. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2010-02-01
Defence
Disertační práce zpracovává aktuální téma v oblasti materiálového výzkumu s vysokou možností aplikace výsledků v polovodičovém průmyslu. Ing. Mach zvládl náročné experimenty a dosáhl původních výsledků, které byly publikovány. Prokázal jimi schopnost samostatné vědecké práce a také schopnost týmové spolupráce, která vedla k výsledkům, na jejichž základě byla podána přihláška patentu týkající se iontově-atomárního zdroje.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení