Depozice GaN nanostruktur na Si(111) 7x7

Simple item page
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen) doc. Ing. Miroslav Kolíbal, Ph.D. (člen) doc. Mgr. Vlastimil Křápek, Ph.D. (člen) prof. Ing. Jan Čechal, Ph.D. (člen) doc. Ing. Miroslav Bartošík, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)cs
but.defencePo otázkách oponenta bylo dále diskutováno: Vlnová délka světla potřebná pro vybuzení fotoluminiscence. Určování velikosti ostrůvků GaN. Rekonstrukce povrchu 7x7. Vhodné prvky pro dopování GaN. Student na otázky odpověděl.cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorMach, Jindřichcs
dc.contributor.authorŠťastný, Jakubcs
dc.contributor.refereeHorák, Michalcs
dc.date.accessioned2023-07-17T08:06:12Z
dc.date.available2023-07-17T08:06:12Z
dc.date.created2023cs
dc.description.abstractTato bakalářská práce se zabývá studiem růstu 2D GaN nanokrystalů na substrát Si(111) 7x7. V teoretické části této práce jsou popsány vlastnosti 3D a 2D GaN, hlavní metody přípravy GaN i 2D GaN a využití GaN v průmyslu. Experimentální část se zabývá podrobným popisem metody nízkoteplotní kapkové epitaxe za asistence iontů, která byla využita pro provedení série depozic 2D GaN pod různými úhly dopadu iontového svazku na substrát Si(111) 7x7. Depozice byla provedena v komplexním UHV systému v laboratořích ÚFI VUT v Brně. Vytvořené nanokrystaly 2D GaN byly analyzovány pomocí SEM a AFM.cs
dc.description.abstractThe thesis is focused on the study of growth of 2D GaN nanocrystals on Si(111) 7x7. In the theoretical part of this thesis the properties of 3D and 2D GaN, main methods used for growth of GaN and 2D GaN and applications of GaN are described. The experimental part of this thesis describes in detail the method of low temperature droplet epitaxy with assistance of ions, which was used for series of deposition of 2D GaN under different angles of ion beam. The deposition was done in the complex UHV system in the ÚFI VUT labs in Brno. The nanocrystals were analysed by SEM and AFM.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationŠŤASTNÝ, J. Depozice GaN nanostruktur na Si(111) 7x7 [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2023.cs
dc.identifier.other149085cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/211704
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectGaNcs
dc.subject2Dcs
dc.subjectnanokrystalcs
dc.subjectostrůvekcs
dc.subjectnitridacecs
dc.subjectdepozicecs
dc.subjectflashovánícs
dc.subjectžíhánícs
dc.subjectGaNen
dc.subject2Den
dc.subjectnanocrystalen
dc.subjectislanden
dc.subjectnitridationen
dc.subjectdepositionen
dc.subjectflashingen
dc.subjectannealingen
dc.titleDepozice GaN nanostruktur na Si(111) 7x7cs
dc.title.alternativeDeposition of GaN nano structures on Si(111) 7x7en
dc.typeTextcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
dcterms.dateAccepted2023-06-22cs
dcterms.modified2023-06-26-08:29:18cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid149085en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2023.07.17 10:06:11en
sync.item.modts2023.07.17 09:34:28en
thesis.disciplinebez specializacecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
8.91 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
review_149085.html
Size:
9.98 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
review_149085.html
Download
Collections
2023