Depozice Ga nanostruktur na grafenové membrány

Abstract

Tato diplomová práce se zabývá přípravou grafenových membrán pro depozici atomů galliametodou molekulární svazkové epitaxe. V první části jsou nejprve popsány vlastnostigrafenu a metody jeho výroby. Druhá část je zaměřena na grafenové membrány, jejichspecifické vlastnosti, aplikace a způsoby výroby. Třetí část práce popisuje teorii růstutenkých vrstev. Praktická část práce je zaměřena na přípravu grafenových membrán,která spočívala v překrytí mikrodutin v křemíkovém substrátu grafenovou vrstvou. ktomu byl použit mechanicky exfoliovaný a CVD grafen Na takové membrány bylo následnědeponováno gallium technikou molekulární svazkové epitaxe a in situ pozorována pomocírastrovací elektronové mikroskopie.This diploma thesis deals with the preparation of the graphene membranes for depo-sition of gallium atoms by the molecular beam epitaxy. In the first part properties ofgraphene and methods of its production are described. Second part focuses on the gra-phene membranes, their specific properties, applications and methods of production. Thirdpart describes growth theory of the thin films. Practical part is focused on preparationof graphene membranes, which consists of covering the holes in the silicon substrate bygraphene layer. For that mechanical exfoliated and chemical vapor deposited graphenewere used. Subsequently, gallium atoms were deposited on these membranes by molecularbeam epitaxy and in situ observed by scanning electron microscopy.