Studium lokálně modifikovaných povrchů pro selektivní růst kobaltu

Simple item page
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)cs
but.defencecs
but.jazykčeština (Czech)
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorČechal, Jancs
dc.contributor.authorKrajňák, Tomášcs
dc.contributor.refereeBábor, Petrcs
dc.date.accessioned2019-05-17T13:25:14Z
dc.date.available2019-05-17T13:25:14Z
dc.date.created2017cs
dc.description.abstractV této práci se pomocí metody rentgenové fotoelektronové spektroskopie určovala chemická analýza křemíkových substrátů s orientací (1 1 1). Byly využity přístroje XPS Kratos Supra a elektronový mikroskop Tescan LYRA3 s iontovým svazkem FIB ve sdílených laboratořích CEITEC (CF Nano). Povrch použitých substrátů byl lokálně modifikován fokusovaným iontovým svazkem gallia. Byly odprašovány čtvercové plochy o nominálních hloubkách od 1 nm do 10 nm. Dále byl studován vliv žíhání na takto modifikované oblasti. Výstupem této práce je určení závislostí intenzit Si 2p a Ga 2p3/2. Byla určena závislost intenzit těchto píků na nominální hloubce odprášených ploch a vliv teploty na tyto plochy. XPS analýza povedená po modifikaci substrátu fokusovaným iontovým svazkem odhalila přítomnost gallia a další složku píku Si 2p. Tato komponenta byla přiřazena amorfnímu křemíku. Veškeré gallium bylo ze vzorku odstraněno při žíhání vzorku na teplotě 700 °C po dobu 120 minut.cs
dc.description.abstractIn this thesis the chemical composition of silicon substrates locally modified by focused gallium ion beam by X-ray photoelectron spectroscopy is determined. In order to determine the influence of focused ion beam, the sample comprising sputtered square areas with nominal depths in range of 1 to 10 nm was prepared. Next, the sample was heated to elevated temperatures (500 - 700 °C) to reveal changes in the sputtered areas induced by annealing. In this work by X-ray photoelectron spectrometer Kratos Supra and electron microscope Tescan LYRA3 with focused ion beam were used. From the measured spectra of the Si 2p and Ga 2p3/2 peaks measured as a function of nominal sputtering depth and annealing temperature the following main observations were obtained. First, there is the additional peak component in the Si 2p peak, which can be assigned to the amorphous silicon. The second important finding is that gallium can be removed from near surface volume by annealing at temperatures beyond 700 °C.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationKRAJŇÁK, T. Studium lokálně modifikovaných povrchů pro selektivní růst kobaltu [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2017.cs
dc.identifier.other101567cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/65098
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectKřemíkcs
dc.subjectkobaltcs
dc.subjectgalliumcs
dc.subjectXPScs
dc.subjectSEMcs
dc.subjectFIBcs
dc.subjectefuzní celacs
dc.subjecttermočlánekcs
dc.subjectSSS komoracs
dc.subjectrůst tenké vrstvycs
dc.subjectKratoscs
dc.subjectLYRA3cs
dc.subjecttermoemisecs
dc.subjectžíhánícs
dc.subjectodprašovánícs
dc.subjectSiliconen
dc.subjectcobalten
dc.subjectgalliumen
dc.subjectXPSen
dc.subjectSEMen
dc.subjectFIBen
dc.subjecteffusion cellen
dc.subjectthermocoupleen
dc.subjectSSS chamberen
dc.subjectgrowth of thin filmen
dc.subjectKratosen
dc.subjectLYRA3en
dc.subjectthermoemissionen
dc.subjectannealingen
dc.subjectsputteringen
dc.titleStudium lokálně modifikovaných povrchů pro selektivní růst kobaltucs
dc.title.alternativeAnalysis of locally modified surfaces for selective growth of cobalten
dc.typeTextcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
dcterms.dateAccepted2017-06-19cs
dcterms.modified2017-06-20-09:57:07cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid101567en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.12 20:07:33en
sync.item.modts2021.11.12 19:40:26en
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
7.62 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
review_101567.html
Size:
8.71 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
review_101567.html
Download
Collections
2017