Návrh přesné napěťové reference v ACMOS procesu

Abstract

V této práci je popsán princip napěťových referencí, především napěťových referencí typu bandgap. Dále jsou popsány dva obvody tohoto typu navržené v ACMOS procesu. Je provedena chybová analýza ručním výpočtem pro odhalení prvků, které mají největší vliv a také simulace metodou monte-carlo. V další části práce je provedeno statistické vyhodnocení měření vzorků hotové struktury. Výsledky dosažené všemi metodami jsou přehledně porovnány. Poté jsou srovnána obě zapojení vzhledem k přesnosti jejich referenčního napětí. U zapojení s větší chybou je provedena optimalizace pro dosažení nižší chyby. Získané výsledky ukazují dobrou shodu všech tří metod, což ukazuje význam a možnosti ručního výpočtu.In this thesis the principle of voltage reference especially bangap reference is described. Below are described two circuits of this type designed in ACMOS process. There is handmade evaluation of error analysis to identify main error contributors and also monte-carlo simulation. Also statistical analysis is made on the circuit. Results of all methods are compared. Error of reference voltage is compared for both circuits. Circuit with bigger error is optimized to achieve a better precision. Obtained results showed a good agreement of all methods, which evidences importance of hand error evaluation.