Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET

Loading...
Thumbnail Image

Date

Authors

Vitek, Vojtech

Mark

A

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

ORCID

Abstract

Bakalárska práca opisuje princípy budenia výkonových tranzistorov MOSFET z materiálu karbid kremíka SiC. Cieľom je podrobne opísať jednotlivé typy budenia a základné zásady pri navrhovaní budičov. Praktickou časťou práce je osadenie dosky plošných spojov budiča navrhnutého na UVEE FEKT VUT Brno a overenie jeho činnosti .
The bachelor thesis describes gate driving principles of power MOSFET transistors made of silicon carbide material. The autor's aim is describing a different types of gate drivers and basic rules during process of designing gate drivers. In the theoretical part, the author will mount printed circuit board of gate driver designed on UVEE FEKT VUT Brno and verify functionality.

Description

Citation

VITEK, V. Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2013.

Document type

Document version

Date of access to the full text

Language of document

cs

Study field

Silnoproudá elektrotechnika a elektroenergetika

Comittee

doc. Dr. Ing. Miroslav Patočka (předseda) doc. Ing. Ondřej Vítek, Ph.D. (místopředseda) Ing. Dalibor Červinka, Ph.D. (člen) doc. Ing. Pavel Vorel, Ph.D. (člen) Ing. Petr Huták, Ph.D. (člen) Ing. Petr Procházka, Ph.D. (člen) Ing. Josef Šunka, Ph.D. (člen)

Date of acceptance

2013-06-17

Defence

Obhajoba práce je na slušné úrovni, prezentace je logicky členěna. Student se vyjadřuje srozumitelně a svoje téma pěkně vysvětluje. Všechny otázky (oponenta i v diskuzi) byly odpovězeny. Práce je komisí celkově hodnocena výborně.

Result of defence

práce byla úspěšně obhájena

DOI

Collections

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By

Citace PRO