Infračervená spektroskopie tenkých vrstev

Loading...
Thumbnail Image

Date

Authors

Kiss, Andrej

Mark

C

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická

ORCID

Abstract

Cílem této bakalářské práce je literární rešerše v oblasti tenkých vrstev, plazmochemické depozice z plynné fáze a infračervené spektroskopie Fourierovou transformací, a měření infračervených spekter tenkých vrstev a charakterizace jejich chemické struktury na základě změřených spekter. Pomocí infračervené spektroskopie Fourierovou transformací bylo měřeno pět vzorků tenkých polymerních vrstev z tetravinylsilanu, vytvořených na křemíkovém substrátu pomocí plazmochemické depozice z plynné fázi s efektivním výkonem v rozmezí od 2 W do 150 W. Měření odhalilo chemické vazby přítomné ve vzorcích a jak se struktura měnila s měnící se efektivním výkonem. Snížení absorpčních pásů s přítomností vodíku naznačuje zvýšení zesítění se zvýšeným efektivním výkonem. Také snížení absorpčních pásů s přítomností křemíku poskytuje důkaz pro zvýšení poměru C/Si. Tyto výsledky nám pomáhají porozumět charakteristikám těchto tenkých vrstev a přispívají k pochopení procesu plazmochemické depozice z plynné fáze.
The objective of this Bachelor thesis is a literary research in the fields of thin films, plasma enhanced chemical vapor deposition technique, and Fourier transform infrared spectroscopy in order to measure the infrared spectra of thin films and characterise its chemical structure based on the measured spectra. Five samples of plasma polymer films of tetravinylsilane, deposited on silicon wafers using plasma enhanced chemical vapor deposition with effective power ranging from 2 to 150 W were measured with Fourier transform infrared spectroscope. The measurement revealed the chemical bonds present in the five samples and how the structure changed with changing effective power. The decrease in the absorption bands with hydrogen presence suggest an increase of crosslinking with enhanced power. Also, the decrease in the band with silicon presence provides evidence for the increase of C/Si ratio. These results help us understand the characteristics of these thin films and contribute to the understanding the plasma enhanced chemical vapor deposition process.

Description

Citation

KISS, A. Infračervená spektroskopie tenkých vrstev [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická. 2020.

Document type

Document version

Date of access to the full text

Language of document

en

Study field

bez specializace

Comittee

doc. Ing. František Šoukal, Ph.D. (předseda) prof. RNDr. Josef Jančář, CSc. (člen) prof. Ing. Ladislav Omelka, DrSc. (člen) prof. Ing. Petr Ptáček, Ph.D. (člen) prof. Ing. Tomáš Svěrák, CSc. (člen) doc. Ing. Lucy Vojtová, Ph.D. (člen) Ing. Karel Lang, CSc. (člen)

Date of acceptance

2020-09-03

Defence

Student v rámci prezentace práce Infračervená spektroskopie tenkých vrstev nejdříve představil cíle práce a možnosti přípravy tenkých vrstev. Následně po představení metod měření použitých při tvorbě této práce ukázal a shrnul dosažené výsledky. Následovaly odpovědi na otázky oponenta. 1) Připravoval jste si měřené vzorky osobně? Na str. 28 píšete: „Samples were provided to me…“, ale v experimentální části popisujete způsob jejich přípravy. 2) Na Obr. 24 na str. 31 a pak v detailu na Obr. 25 na str. 32 je na nejnižším efektivním výkonu na spektru vidět malý pík při vlnočtu 3050 cm^-1. Při vyšších efektivních výkonech mizí. Máte k tomu nějaké vysvětlení? 3) K Obr. 26 na str. 32: Máte nějaké vysvětlení pro závislost velikosti tohoto píku na efektivním výkonu? Vzal jste v úvahu možný příspěvek valenční vibrace C{trojná vazba}C? Má nějaký význam rozšiřování tohoto píku se změnou efektivního příkonu a malý pík, který se objevuje při cca 2030 cm^-1 ? Student na všechny otázky oponenta dobře odpověděl.

Result of defence

práce byla úspěšně obhájena

DOI

Collections

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By

Citace PRO