Vliv elektronového svazku na tenké vrstvy oxidů
but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) doc. RNDr. Josef Kuběna, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
but.defence | cs | |
but.jazyk | slovenština (Slovak) | |
but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
dc.contributor.advisor | Čechal, Jan | sk |
dc.contributor.author | Kostyal, Michal | sk |
dc.contributor.referee | Průša, Stanislav | sk |
dc.date.accessioned | 2019-04-03T22:29:25Z | |
dc.date.available | 2019-04-03T22:29:25Z | |
dc.date.created | 2010 | cs |
dc.description.abstract | Bakalárska práca sa zaoberá skúmaním vplyvu elektrónového lúča rastrovacieho elektrónového mikroskopu na povrch vzorky SiO2/Si(100). V práci je stručne popísaná elektrónová mikroskopia a mikroskopia atomárnych síl. Hlavným riešeným problémom je pozorovaná zmena odtieňu pri pozorovaní vzorky SiO2/Si(100) rastrovacím elektrónovým mikroskopom. V práci je zistené, že na povrchu vzorky sa vytvárajú objekty o výške niekoľko nm. Zvyšok práce je potom venovaný meraniu závislosti výšky objektu na rôznych premenných. Merania sú väčšinou založené na selektívnom ožarovaní povrchu vzorky rastrovacím elektrónovým mikroskopom, meraní ožiarených častí pomocou mikroskopu atomárnych síl a vyhodnocovaní v aplikácie Gwyddion. | sk |
dc.description.abstract | This bachelor work deals with a study of the influence of electron beam of scanning electron microscope on the surface of the SiO2/Si (100) – sample. In the work the electron and atomic force microscopy briefly described. The main objective of experimental part is to describe variation in the brightness of sample SiO2/Si (100) in Scanning electron microscope images. In this study is found that on the sample surface are created objects few nm high. The rest of the work is then devoted to measuring the dependence of the object’s high on different variables. Experiments are generally based on the selective irradiation of the sample surface by scanning electron microscope, measurement of irradiated parts using atomic force microscope and evaluation in the application Gwyddion. | en |
dc.description.mark | A | cs |
dc.identifier.citation | KOSTYAL, M. Vliv elektronového svazku na tenké vrstvy oxidů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2010. | cs |
dc.identifier.other | 29512 | cs |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/14112 | |
dc.language.iso | sk | cs |
dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
dc.subject | elektrónový mikroskop | sk |
dc.subject | mikroskop atomárnych síl | sk |
dc.subject | kontaminácia vzorky | sk |
dc.subject | Gwyddion | sk |
dc.subject | Electron microscope | en |
dc.subject | Atomic force microscope | en |
dc.subject | contamination of the sample | en |
dc.subject | Gwyddion | en |
dc.title | Vliv elektronového svazku na tenké vrstvy oxidů | sk |
dc.title.alternative | An influence of electron beam on thin oxide films | en |
dc.type | Text | cs |
dc.type.driver | bachelorThesis | en |
dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
dcterms.dateAccepted | 2010-06-17 | cs |
dcterms.modified | 2010-07-22-11:45:01 | cs |
eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
sync.item.dbid | 29512 | en |
sync.item.dbtype | ZP | en |
sync.item.insts | 2021.11.12 09:03:48 | en |
sync.item.modts | 2021.11.12 08:28:03 | en |
thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
thesis.level | Bakalářský | cs |
thesis.name | Bc. | cs |