Selektivní růst gallium-nitridových tenkých vrstev na substráty pokryté maskou z pyrolyzovaného rezistu

Simple item page
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorVoborný, Stanislavcs
dc.contributor.authorNovák, Tomášcs
dc.contributor.refereeKostelník, Petrcs
dc.date.created2013cs
dc.description.abstractTato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev GaN aselektivním růstem Ga a GaN s využitím masek z pyrolyzovaného rezistu. Na křemíkových substrátech byly elektronovou litografií a pyrolýzou rezistu připraveny uhlíkové masky. Na substráty s maskami bylo poté metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE) nanášeno Ga a GaN. Při depozicích Ga bylo dosaženo selektivní tvorby Ga ostrůvků, což bylo využito k růstu GaN krystalků metodou pulsní depozice. Experimenty také ukázaly, že přímou depozicí GaN metodou MBE lze na substráty s uhlíkovými maskami selektivně nanášet vrstvy GaN, kdy vrstva roste pouze v oblastech mimo masku. Výsledky vysvětluje zvýšená povrchová difúze gallia na povrchu uhlíkových masek.cs
dc.description.abstractThis thesis deals with deposition of GaN thin films and GaN selective growth utilizing pyrolyzed resist masks. Carbon masks were prepared on silicon substrates by electron-beam litography and resist pyrolysis. As a further step, Ga and GaN were deposited on the masked substrates by Moleculer Beam Epitaxy (MBE) method. A selective growth of Ga droplets was achieved. These results were used for preparation of GaN crystallites by pulse deposition. It is also shown that direct MBE deposition of GaN on the masked substrates leads to a selective growth of GaN thin films with GaN film growing only on the areas which are not covered by the carbon mask. The results are explained by enhanced surface diffusion of gallium atoms on the surface of the carbon mask.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationNOVÁK, T. Selektivní růst gallium-nitridových tenkých vrstev na substráty pokryté maskou z pyrolyzovaného rezistu [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2013.cs
dc.identifier.other68829cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/26606
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectGaNcs
dc.subjecttenké vrstvycs
dc.subjectselektivní růstcs
dc.subjectpyrolýza rezistucs
dc.subjectamorfní uhlíkcs
dc.subjectuhlíkové maskycs
dc.subjectGa ostrůvkycs
dc.subjectGa povrchová difúzecs
dc.subjectGaNen
dc.subjectthin filmsen
dc.subjectselective growthen
dc.subjectpyrolysis of resisten
dc.subjectamorphous carbonen
dc.subjectcarbon masksen
dc.subjectGa dropletsen
dc.subjectGa surface diffusionen
dc.titleSelektivní růst gallium-nitridových tenkých vrstev na substráty pokryté maskou z pyrolyzovaného rezistucs
dc.title.alternativeSelective gallium nitride thin-film growth on substrates covered by pyrolyzed resist masken
dc.typeTextcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
dcterms.dateAccepted2013-10-22cs
dcterms.modified2013-10-22-12:00:30cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid68829en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.27 07:46:42en
sync.item.modts2025.01.15 20:30:45en
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
9.5 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
review_68829.html
Size:
11.65 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_68829.html
Download
Collections
2013