Proudové zdroje a aktivní zátěž v technologii CMOS
Loading...
Date
Authors
Cihlář, Karel
Advisor
Referee
Mark
B
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
ORCID
Abstract
Proudové zdroje a aktivní zátěž v technologii CMOS, počítačová simulace.
Current sources and active load in CMOS technology, computer simulation.
Current sources and active load in CMOS technology, computer simulation.
Description
Keywords
Citation
CIHLÁŘ, K. Proudové zdroje a aktivní zátěž v technologii CMOS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
doc. Ing. Ladislav Hulenyi, CSc. (předseda)
doc. Ing. Radek Kuchta, Ph.D. (místopředseda)
Ing. Jiří Kubelka (člen)
doc. Ing. Radovan Novotný, Ph.D. (člen)
Ing. Jiří Špinka (člen)
Date of acceptance
2009-06-10
Defence
Student Karel Cihlář seznámil komisi se svoji bakalařskou prací na téma: Proudové zdroje a aktivní zátěž v technologii CMOS.
Odpověděl na otázky oponenta - 1) Uveďte zapojení obvodu jehož modelováním vznikly průběhy na obr. 31. Co je příčinou " zašpičatění " výstupního signálu (červená) na obr. 31?
2) Uveďte zapojení obvodu jehož modelováním vznikly průběhy na obr. 38 a vysvětlete proč je uváděné zesílení pro odporovou zátěž i pro aktivní zátež stejné.
Dále došlo k všeobecné rozpravě s komisí.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena