Strange attractors generated by multiple-valued static memory cell with polynomial approximation of resonant tunneling diodes

Simple item page
dc.contributor.authorPetržela, Jiřícs
dc.coverage.issue9cs
dc.coverage.volume20cs
dc.date.issued2018-09-12cs
dc.description.abstractThis paper brings analysis of the multiple-valued memory system (MVMS) composed by a pair of the resonant tunneling diodes (RTD). Ampere-voltage characteristic (AVC) of both diodes is approximated in operational voltage range as common in practice: by polynomial scalar function. Mathematical model of MVMS represents autonomous deterministic dynamical system with three degrees of freedom and smooth vector field. Based on the very recent results achieved for piecewise-linear MVMS numerical values of the parameters are calculated such that funnel and double spiral chaotic attractor is observed. Existence of such types of strange attractors is proved both numerically by using concept of the largest Lyapunov exponents (LLE) and experimentally by computer-aided simulation of designed lumped circuit using only commercially available active elements.en
dc.description.abstractTento článek přináší analýzu vícehodnotového paměťového systému (MVMS) složeného z dvojice rezonančních tunelových diod (RTD). Ampérvoltová charakteristika (AVC) obou diod je aproximována v pracovním rozsahu běžnému pro praxi, a to polynomiální skalární funkcí. Matematický model MVMS reprezentuje autonomní deterministický dynamický systém se třemi stupni volnosti a hladkým vektorovým polem. Na základě posledních poznatků pro případ po částech lineárního MVMS jsou vypočteny numerické hodnoty parametrů tak, že systém generuje tzv. tunelový a dvojspirálový chaotický atraktor. Existence of takových typů podivných atraktorů je prokázána jak numericky s využitím největšího Lyapunovského exponentu (LLE), tak také experimentálně počítačovou simulací a návrhem příslušného obvodu se soustředěnými parametry, přičemž tento využívá pouze komerčně dostupné aktivní prvky.cs
dc.formattextcs
dc.format.extent1-23cs
dc.format.mimetypeapplication/pdfcs
dc.identifier.citationENTROPY. 2018, vol. 20, issue 9, p. 1-23.en
dc.identifier.doi10.3390/e20090697cs
dc.identifier.issn1099-4300cs
dc.identifier.orcid0000-0001-5286-9574cs
dc.identifier.other149821cs
dc.identifier.researcheridDZG-2188-2022cs
dc.identifier.scopus9333762000cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/85298
dc.language.isoencs
dc.publisherMDPIcs
dc.relation.ispartofENTROPYcs
dc.relation.urihttp://www.mdpi.com/1099-4300/20/9/697cs
dc.rightsCreative Commons Attribution 4.0 Internationalcs
dc.rights.accessopenAccesscs
dc.rights.sherpahttp://www.sherpa.ac.uk/romeo/issn/1099-4300/cs
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/cs
dc.subjectchaosen
dc.subjectLyapunov exponentsen
dc.subjectmultiple-valueden
dc.subjectstatic memoryen
dc.subjectstrange attractorsen
dc.subjectchaos
dc.subjectLyapunovské exponenty
dc.subjectvícehodnotová
dc.subjectstatická paměť
dc.subjectpodivné atraktory
dc.titleStrange attractors generated by multiple-valued static memory cell with polynomial approximation of resonant tunneling diodesen
dc.title.alternativePodivné atraktory generované vícehodnotovou statickou paměťovou buňkou s polynomiální aproximací rezonančních tunelových diodcs
dc.type.driverarticleen
dc.type.statusPeer-revieweden
dc.type.versionpublishedVersionen
sync.item.dbidVAV-149821en
sync.item.dbtypeVAVen
sync.item.insts2025.02.03 15:41:58en
sync.item.modts2025.01.17 18:48:34en
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav radioelektronikycs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
entropy2000697.pdf
Size:
11 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
entropy2000697.pdf
Download
Collections
Ústav radioelektroniky