Polovodičové struktury, metoda nábojového sběru

but.committeeprof. Ing. Karel Bartušek, DrSc. (předseda) doc. Ing. Vítězslav Novák, Ph.D. (místopředseda) Ing. Jiří Starý, Ph.D. (člen) Ing. Miroslav Zatloukal (člen) Ing. Ondřej Čech, Ph.D. (člen)cs
but.defenceDiplomant seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením své diplomové práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Je vztah pro hloubku vniku elektronového svazku matematicky odvozený nebo empirický? Co je to difúzní délka a jaký je její rozměr? Byla snaha analyzování defektů v integrovaných obvodech? Jak je ralizováno měření polohy PN přechodu?cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorŠpinka, Jiřícs
dc.contributor.authorGolda, Martincs
dc.contributor.refereeČudek, Pavelcs
dc.date.created2014cs
dc.description.abstractPráce pojednává o studiu struktur polovodivého křemíku. Popisuje vlastnosti tohoto prvku a vytvoření polovodiče typu P a N, dále se zabývá typy poruch krystalické mřížky. Zabývá se popisem metod sledování poruch v polovodiči, stanovení vlastností polovodičů tj. metodou EBIC, EBIV a CC, které jsou využívány k analýze polovodičových součástek a materiálů. Zjišťování vlastností křemíkových součástek probíhá pomoci generace nosičů náboje ve vzorku, vloženého do komory rastrovacího elektronového mikroskopu dopadajícími vyskoenergiovými elektrony a následným sběrem naindukovaného náboje na PN přechodu. Pomocí dat získaných metodou EBIC a CC byly vyhodnoceny difúzní délka a doba života elektronů.cs
dc.description.abstractThis thesis treats about semiconducting silicon structures. It describes the characteristics of the element and creation of P and N type of semiconductor and discusses about different types of faults in the crystal lattice. It deals with the description of methods for monitoring faults in semiconductor ie. determining the properties of semiconductors via EBIC, EBIV and CC methods, which are used for analysis of semiconductor devices and materials. Determining the properties of silicon components is being done by generation of charge carriers in the sample loaded in chamber of the scanning electron microscope by high energy electrons. Bellow the sample surface is being generated an electric charge which is being collected by probes. Using this data obtained by EBIC and CC were evaluated diffusion length and lifetime of electrons.en
dc.description.markDcs
dc.identifier.citationGOLDA, M. Polovodičové struktury, metoda nábojového sběru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2014.cs
dc.identifier.other74406cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/32571
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectPN přechodcs
dc.subjectkřemíkcs
dc.subjectporuchy krystalucs
dc.subjectgenerace nábojůcs
dc.subjectnábojový sběrcs
dc.subjectEBICcs
dc.subjectdoba životacs
dc.subjectdifúzní délka.cs
dc.subjectPN junctionen
dc.subjectSiliconen
dc.subjectcrystal defectsen
dc.subjectcarrier generationen
dc.subjectcharge collectionen
dc.subjectEBICen
dc.subjectcarrier life timeen
dc.subjectdiffusion lengthen
dc.titlePolovodičové struktury, metoda nábojového sběrucs
dc.title.alternativeSemiconductors structures , charge collection methoden
dc.typeTextcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
dcterms.dateAccepted2014-06-11cs
dcterms.modified2024-05-17-12:51:56cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid74406en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.26 13:14:41en
sync.item.modts2025.01.17 14:58:18en
thesis.disciplineElektrotechnická výroba a managementcs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav elektrotechnologiecs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Loading...
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
3.22 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Loading...
Thumbnail Image
Name:
appendix-1.zip
Size:
545.47 KB
Format:
zip
Description:
appendix-1.zip
Loading...
Thumbnail Image
Name:
review_74406.html
Size:
7.09 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_74406.html
Collections