Organické polovodiče na povrchu tolopogického izolátoru
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen) prof. Ing. Miroslav Kolíbal, Ph.D. (člen) doc. Mgr. Vlastimil Křápek, Ph.D. (člen) prof. Ing. Jan Čechal, Ph.D. (člen) doc. Ing. Miroslav Bartošík, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
| but.defence | Po otázkách oponenta bylo dále diskutováno: Možné další aplikace studovaného povrchu. Orientace magnetického pole v magnetickém hranolu LEEM. Přenášení mechanického pohybu do vakua při přenosu vzorku. Studentka na otázky odpověděla. | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Procházka, Pavel | cs |
| dc.contributor.author | Hrubá, Daniela | cs |
| dc.contributor.referee | Průša, Stanislav | cs |
| dc.date.created | 2023 | cs |
| dc.description.abstract | Tato bakalářská práce se zabývá využitím topologického izolantu Bi2Se3 jako substrátu pro depozici různých typů organických molekul. Příprava substrátu probíhala metodou exfoliace v podmínkách ultravysokého vakua (UHV). Pro depozici molekul pentacenu, kyseliny 4,4'-bifenyl-dikarboxylové (BDA) a tetrakyanoquinodimetanu (TCNQ) byly použity efúzní cely. Kvalita a uspořádání vytvořených vrstev byla následně charakterizována nízkoenergiovou elektronovou mikroskopií (LEEM). V práci jsou diskutovány naměřené výsledky a chování molekul na povrchu krystalu po depozici. Difrakční obrazce byly použity pro vytvoření modelu uspořádání molekul v reálném prostoru. | cs |
| dc.description.abstract | This bachelor thesis is focused on the utilization of the topological insulator Bi2Se3 as a substrate for the deposition of different types of organic molecules. The substrate was prepared by exfoliation method under ultrahigh vacuum (UHV) conditions. The pentacene, 4,4'-biphenylcarboxylic acid (BDA), and tetracyanoquinodimethane (TCNQ) molecules were subsequently deposited using effusion cells. The quality and arrangement of the fabricated layers were characterized by low-energy electron microscopy (LEEM). The measured results and the behavior of the molecules on the crystal surface after their deposition are discussed. Diffraction patterns were used for design of real-space molecular arrangement model. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | HRUBÁ, D. Organické polovodiče na povrchu tolopogického izolátoru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2023. | cs |
| dc.identifier.other | 149449 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/211763 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | Topologické izolanty | cs |
| dc.subject | organické polovodiče | cs |
| dc.subject | metoda exfoliace | cs |
| dc.subject | depozice molekul | cs |
| dc.subject | LEEM | cs |
| dc.subject | Bi2Se3 | cs |
| dc.subject | TCNQ | cs |
| dc.subject | BDA | cs |
| dc.subject | pentacen. | cs |
| dc.subject | Topological insulators | en |
| dc.subject | organic semiconductors | en |
| dc.subject | exfoliation method | en |
| dc.subject | molecular deposition | en |
| dc.subject | LEEM | en |
| dc.subject | Bi2Se3 | en |
| dc.subject | TCNQ | en |
| dc.subject | BDA | en |
| dc.subject | pentacene. | en |
| dc.title | Organické polovodiče na povrchu tolopogického izolátoru | cs |
| dc.title.alternative | Organic semiconductors on topological insulators | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2023-06-23 | cs |
| dcterms.modified | 2023-06-26-08:29:17 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 149449 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.03.26 08:16:59 | en |
| sync.item.modts | 2025.01.15 12:46:44 | en |
| thesis.discipline | bez specializace | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |