Návrh napěťové reference v technologii ONSemi I3T
| but.committee | prof. Ing. Vladislav Musil, CSc. (předseda) Ing. Boleslav Psota, Ph.D. (místopředseda) Ing. Marek Bohrn, Ph.D. (člen) doc. Ing. Ladislav Hulenyi, CSc. (člen) Ing. Ondřej Hégr, Ph.D. (člen) | cs |
| but.defence | Student seznámil státní závěrečnou komisi s cílem a řešením své bakalářské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Otázky v diskuzi: Co znamená trimování? | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Kledrowetz, Vilém | cs |
| dc.contributor.author | Pěček, Lukáš | cs |
| dc.contributor.referee | Prokop, Roman | cs |
| dc.date.created | 2015 | cs |
| dc.description.abstract | Napěťové reference tvoří základní součást většiny integrovaných obvodů. Cílem této práce je popsat jejich princip a v technologii ONSemi I3T25 navrhnout kompletní obvod reference včetně layoutu. Byla navržena bandgap napěťová reference s výstupním napětím 1,25 V a s předstabilizací napětí. Pro zvýšení přesnosti byl použit pětibitový trimovací obvod. | cs |
| dc.description.abstract | Voltage references form an essential part of most integrated circuits. The aim of this thesis is to describe their principle and design complete circuit including layout in ONSemi I3T technology. Bandgap voltage reference with 1,25 V out-put and with preregulator was designed. Five-bit trimming circuit was used to increase accuracy. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | PĚČEK, L. Návrh napěťové reference v technologii ONSemi I3T [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2015. | cs |
| dc.identifier.other | 85936 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/41532 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | napěťová | cs |
| dc.subject | CMOS | cs |
| dc.subject | bandgap | cs |
| dc.subject | reference | cs |
| dc.subject | Brokaw | cs |
| dc.subject | trimování | cs |
| dc.subject | voltage | en |
| dc.subject | CMOS | en |
| dc.subject | bandgap | en |
| dc.subject | reference | en |
| dc.subject | Brokaw | en |
| dc.subject | trimming | en |
| dc.title | Návrh napěťové reference v technologii ONSemi I3T | cs |
| dc.title.alternative | Design of voltage reference circuit in ONSemi I3T technology | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2015-06-15 | cs |
| dcterms.modified | 2015-06-17-15:45:16 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| sync.item.dbid | 85936 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.03.16 23:41:30 | en |
| sync.item.modts | 2025.01.15 15:14:37 | en |
| thesis.discipline | Mikroelektronika a technologie | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektroniky | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |